品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM5NC50CZ C0G
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:586pF@50V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:1.38Ω@2.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM5NC50CZ C0G
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:586pF@50V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:1.38Ω@2.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM5NC50CZ C0G
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:586pF@50V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:1.38Ω@2.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM5NC50CZ C0G
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:586pF@50V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:1.38Ω@2.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IPA95R1K2P7XKSA1
导通电阻:1.2Ω@2.7A,10V
阈值电压:3.5V@140µA
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:950V
输入电容:478pF@400V
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
功率:27W
连续漏极电流:6A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:02+
规格型号(MPN):FQPF2N80
功率:35W
导通电阻:6.3Ω@750mA,10V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
类型:N沟道
输入电容:550pF@25V
连续漏极电流:1.5A
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):75psc
规格型号(MPN):STD2HNK60Z-1
功率:45W
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:2A
阈值电压:4.5V@50µA
输入电容:280pF@25V
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
漏源电压:600V
导通电阻:4.8Ω@1A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STP3NK50Z
漏源电压:500V
功率:45W
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:3.3Ω@1.15A,10V
阈值电压:4.5V@50µA
输入电容:280pF@25V
连续漏极电流:2.3A
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"14+":19700,"17+":2100,"9999":375}
规格型号(MPN):NDD60N745U1-35G
连续漏极电流:6.6A
功率:84W
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:745mΩ@3.25A,10V
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
输入电容:440pF@50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM5NC50CZ C0G
漏源电压:500V
阈值电压:4.5V@250µA
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:5A
功率:89W
类型:N沟道
导通电阻:1.38Ω@2.5A,10V
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:586pF@50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPU95R1K2P7AKMA1
导通电阻:1.2Ω@2.7A,10V
阈值电压:3.5V@140µA
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:950V
输入电容:478pF@400V
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
功率:52W
连续漏极电流:6A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"17+":489,"19+":4000,"9999":1000}
规格型号(MPN):IPU80R900P7AKMA1
功率:45W
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:3.5V@110µA
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@2.2A,10V
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
漏源电压:800V
连续漏极电流:6A
ECCN:EAR99
输入电容:350pF@500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":3440,"20+":50400,"MI+":20160}
销售单位:个
包装规格(MPQ):70psc
规格型号(MPN):FQU2N90TU-WS
功率:2.5W€50W
漏源电压:900V
输入电容:500pF@25V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
连续漏极电流:1.7A
类型:N沟道
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
导通电阻:7.2Ω@850mA,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"14+":19700,"17+":2100,"9999":375}
规格型号(MPN):NDD60N745U1-35G
连续漏极电流:6.6A
功率:84W
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
导通电阻:745mΩ@3.25A,10V
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
输入电容:440pF@50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):IPP80R900P7XKSA1
功率:45W
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:3.5V@110µA
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@2.2A,10V
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
漏源电压:800V
连续漏极电流:6A
输入电容:350pF@500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPU80R900P7AKMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:3.5V@110µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:350pF@500V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@2.2A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA80R900P7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:26W
阈值电压:3.5V@110µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:350pF@500V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@2.2A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP10LN80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:427pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:630mΩ@4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA95R1K2P7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:27W
阈值电压:3.5V@140µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:478pF@400V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@2.7A,10V
漏源电压:950V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPU80R900P7AKMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:3.5V@110µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:350pF@500V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@2.2A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:02+
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF2N80
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:550pF@25V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:6.3Ω@750mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:[]
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP2N80
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:550pF@25V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:6.3Ω@1.2A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1600,"MI+":800}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF2N80YDTU
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:550pF@25V
连续漏极电流:1.5A
类型:N沟道
导通电阻:6.3Ω@750mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STP3NK50Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:280pF@25V
连续漏极电流:2.3A
类型:N沟道
导通电阻:3.3Ω@1.15A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STD2HNK60Z-1
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:280pF@25V
连续漏极电流:2A
类型:N沟道
导通电阻:4.8Ω@1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPU80R900P7AKMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:3.5V@110µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:350pF@500V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@2.2A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPU80R900P7AKMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:3.5V@110µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:350pF@500V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@2.2A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":14000,"23+":10500}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPS80R900P7AKMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:3.5V@110µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:350pF@500V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@2.2A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":19700,"17+":2100,"9999":375}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDD60N745U1-35G
工作温度:-55℃~150℃
功率:84W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:440pF@50V
连续漏极电流:6.6A
类型:N沟道
导通电阻:745mΩ@3.25A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA80R900P7XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:26W
阈值电压:3.5V@110µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:管件
输入电容:350pF@500V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:900mΩ@2.2A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存: