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    栅极电荷: 105nC@10V
    类型: N沟道
    当前匹配商品:100+
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    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDA28N50 起订1个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDA28N50 起订1个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDA28N50

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5140pF@25V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:155mΩ@14A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHK045N60EF-T1GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHK045N60EF-T1GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHK045N60EF-T1GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:278W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4685pF@100V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHK045N60EF-T1GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHK045N60EF-T1GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHK045N60EF-T1GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:278W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4685pF@100V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR680DP-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR680DP-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIDR680DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€125W

    阈值电压:3.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5150pF@40V

    连续漏极电流:32.8A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4154DY-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4154DY-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4154DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€7.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4230pF@20V

    连续漏极电流:36A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4126DY-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4126DY-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4126DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€7.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4405pF@15V

    连续漏极电流:39A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.75mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4154DY-T1-GE3 起订2500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4154DY-T1-GE3 起订2500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4154DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€7.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4230pF@20V

    连续漏极电流:36A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR438DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR438DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR438DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4560pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP460APBF 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP460APBF 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFP460APBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3100pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:270mΩ@12A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP460APBF 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP460APBF 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFP460APBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3100pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:270mΩ@12A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFH24N80P 起订60个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFH24N80P 起订60个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFH24N80P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:650W

    阈值电压:5V@4mA

    栅极电荷:105nC@10V

    输入电容:7200pF@25V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@12A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP460APBF 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP460APBF 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFP460APBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3100pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:270mΩ@12A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4154DY-T1-GE3 起订630个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4154DY-T1-GE3 起订630个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4154DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€7.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4230pF@20V

    连续漏极电流:36A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR680DP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR680DP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIDR680DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€125W

    阈值电压:3.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5150pF@40V

    连续漏极电流:32.8A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR438DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR438DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR438DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.4W€83W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4560pF@10V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4126DY-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4126DY-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4126DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€7.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4405pF@15V

    连续漏极电流:39A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.75mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP460APBF 起订25个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP460APBF 起订25个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFP460APBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3100pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:270mΩ@12A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP460APBF 起订30个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP460APBF 起订30个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFP460APBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3100pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:270mΩ@12A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4154DY-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4154DY-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4154DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€7.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4230pF@20V

    连续漏极电流:36A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4154DY-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4154DY-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4154DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€7.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4230pF@20V

    连续漏极电流:36A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4126DY-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4126DY-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4126DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€7.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4405pF@15V

    连续漏极电流:39A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.75mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDA28N50 起订120个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDA28N50 起订120个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDA28N50

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5140pF@25V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:155mΩ@14A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN1R2-25YL,115 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN1R2-25YL,115 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN1R2-25YL,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:121W

    阈值电压:2.15V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6380pF@12V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2mΩ@15A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4154DY-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4154DY-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4154DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€7.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4230pF@20V

    连续漏极电流:36A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR680DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR680DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIDR680DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€125W

    阈值电压:3.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5150pF@40V

    连续漏极电流:32.8A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIHK045N60EF-T1GE3 起订250个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHK045N60EF-T1GE3 起订250个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHK045N60EF-T1GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:278W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4685pF@100V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR680DP-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR680DP-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIDR680DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€125W

    阈值电压:3.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5150pF@40V

    连续漏极电流:32.8A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHK045N60EF-T1GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHK045N60EF-T1GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHK045N60EF-T1GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:278W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4685pF@100V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@17A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR680DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR680DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIDR680DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€125W

    阈值电压:3.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5150pF@40V

    连续漏极电流:32.8A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR680DP-T1-RE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR680DP-T1-RE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIDR680DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€125W

    阈值电压:3.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:105nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5150pF@40V

    连续漏极电流:32.8A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:80V

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