品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR106DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€83.3W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3610pF@50V
连续漏极电流:16.1A€65.8A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR872DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2130pF@75V
连续漏极电流:53.7A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@20A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB65R065C7ATMA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:171W
阈值电压:4.5V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3020pF@400V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:65mΩ@17.1A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC035N04LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€69W
阈值电压:2V@36µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5100pF@20V
连续漏极电流:21A€100A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18532NQ5B
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5340pF@30V
连续漏极电流:22A€100A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC035N04LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€69W
阈值电压:2V@36µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5100pF@20V
连续漏极电流:21A€100A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6512
工作温度:-55℃~150℃
功率:7.4W€83W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3430pF@15V
连续漏极电流:54A€150A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ040N04LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€69W
阈值电压:2V@36µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5100pF@20V
连续漏极电流:18A€40A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8333L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€69W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4545pF@20V
连续漏极电流:22A€76A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@22A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR106DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€83.3W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3610pF@50V
连续漏极电流:16.1A€65.8A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86520L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€40W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4550pF@30V
连续漏极电流:13.5A€22A
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@13.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86202
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€156W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4250pF@60V
连续漏极电流:13.5A
类型:N沟道
导通电阻:7.2mΩ@13.5A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6512
工作温度:-55℃~150℃
功率:7.4W€83W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3430pF@15V
连续漏极电流:54A€150A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ040N04LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€69W
阈值电压:2V@36µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5100pF@20V
连续漏极电流:18A€40A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86520L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€40W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4550pF@30V
连续漏极电流:13.5A€22A
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@13.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86520L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€40W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4550pF@30V
连续漏极电流:13.5A€22A
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@13.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR182DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69.4W
阈值电压:3.6V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3250pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86202
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€156W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4250pF@60V
连续漏极电流:13.5A
类型:N沟道
导通电阻:7.2mΩ@13.5A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6512
工作温度:-55℃~150℃
功率:7.4W€83W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3430pF@15V
连续漏极电流:54A€150A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18532NQ5B
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5340pF@30V
连续漏极电流:22A€100A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR106DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€83.3W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3610pF@50V
连续漏极电流:16.1A€65.8A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR106DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€83.3W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3610pF@50V
连续漏极电流:16.1A€65.8A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ040N04LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€69W
阈值电压:2V@36µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5100pF@20V
连续漏极电流:18A€40A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86202
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.7W€156W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4250pF@60V
连续漏极电流:13.5A
类型:N沟道
导通电阻:7.2mΩ@13.5A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ040N04LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€69W
阈值电压:2V@36µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5100pF@20V
连续漏极电流:18A€40A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18532NQ5B
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5340pF@30V
连续漏极电流:22A€100A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR106DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€83.3W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3610pF@50V
连续漏极电流:16.1A€65.8A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6512
工作温度:-55℃~150℃
功率:7.4W€83W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3430pF@15V
连续漏极电流:54A€150A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":2253}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ040N04LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€69W
阈值电压:2V@36µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5100pF@20V
连续漏极电流:18A€40A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18532NQ5BT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€156W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5340pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: