采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVH4L040N65S3F
工作温度：-55℃~150℃
功率：446W
阈值电压：5V@2.1mA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5665pF@400V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@32.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7478DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7469DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€83.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4700pF@40V
连续漏极电流：28A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@10.2A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7469DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€83.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4700pF@40V
连续漏极电流：28A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@10.2A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7469DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€83.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4700pF@40V
连续漏极电流：28A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@10.2A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7489DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€83W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4600pF@50V
连续漏极电流：28A
类型：P沟道
导通电阻：41mΩ@7.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7489DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€83W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4600pF@50V
连续漏极电流：28A
类型：P沟道
导通电阻：41mΩ@7.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7489DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€83W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4600pF@50V
连续漏极电流：28A
类型：P沟道
导通电阻：41mΩ@7.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTH10P60
工作温度：-55℃~150℃
功率：300W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：Tube
输入电容：4700pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：1Ω@5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7489DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€83W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4600pF@50V
连续漏极电流：28A
类型：P沟道
导通电阻：41mΩ@7.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVH4L040N65S3F
工作温度：-55℃~150℃
功率：446W
阈值电压：5V@2.1mA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5665pF@400V
连续漏极电流：65A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@32.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7469DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€83.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4700pF@40V
连续漏极电流：28A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@10.2A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7469DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€83.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4700pF@40V
连续漏极电流：28A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@10.2A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW52NK25Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：300W
阈值电压：4.5V@150µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4850pF@25V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@26A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7489DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€83W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4600pF@50V
连续漏极电流：28A
类型：P沟道
导通电阻：41mΩ@7.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7478DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7489DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€83W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4600pF@50V
连续漏极电流：28A
类型：P沟道
导通电阻：41mΩ@7.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7489DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€83W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4600pF@50V
连续漏极电流：28A
类型：P沟道
导通电阻：41mΩ@7.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7489DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€83W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4600pF@50V
连续漏极电流：28A
类型：P沟道
导通电阻：41mΩ@7.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7489DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€83W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4600pF@50V
连续漏极电流：28A
类型：P沟道
导通电阻：41mΩ@7.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW52NK25Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：300W
阈值电压：4.5V@150µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4850pF@25V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@26A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7469DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€83.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4700pF@40V
连续漏极电流：28A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@10.2A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7469DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€83.3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4700pF@40V
连续漏极电流：28A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@10.2A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7469DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€83.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4700pF@40V
连续漏极电流：28A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@10.2A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW52NK25Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：300W
阈值电压：4.5V@150µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4850pF@25V
连续漏极电流：52A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@26A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7489DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€83W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4600pF@50V
连续漏极电流：28A
类型：P沟道
导通电阻：41mΩ@7.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7489DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€83W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4600pF@50V
连续漏极电流：28A
类型：P沟道
导通电阻：41mΩ@7.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7478DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7469DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€83.3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4700pF@40V
连续漏极电流：28A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@10.2A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7469DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€83.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4700pF@40V
连续漏极电流：28A
类型：P沟道
导通电阻：25mΩ@10.2A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
