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    栅极电荷: 200nC@10V
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    INFINEON Mosfet场效应管 SPW35N60C3FKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPW35N60C3FKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPW35N60C3FKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:313W

    阈值电压:3.9V@1.9mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:200nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4500pF@25V

    连续漏极电流:34.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@21.9A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB0250N807L 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB0250N807L 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB0250N807L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.8W€214W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:200nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:15400pF@40V

    连续漏极电流:240A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@30A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA20DP-T1-RE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA20DP-T1-RE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA20DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:200nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10850pF@10V

    连续漏极电流:81.7A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.58mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2006UFGQ-7 起订2000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2006UFGQ-7 起订2000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2006UFGQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€41W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:200nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7500pF@10V

    连续漏极电流:17.5A€40A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.5mΩ@15A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTP140P05T 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTP140P05T 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTP140P05T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:298W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:200nC@10V

    输入电容:13500pF@25V

    连续漏极电流:140A

    类型:P沟道

    导通电阻:9mΩ@70A,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB0250N807L 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB0250N807L 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB0250N807L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.8W€214W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:200nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:15400pF@40V

    连续漏极电流:240A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@30A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFPE50PBF 起订25个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFPE50PBF 起订25个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFPE50PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:190W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:200nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3100pF@25V

    连续漏极电流:7.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@4.7A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFPE50PBF 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFPE50PBF 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFPE50PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:190W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:200nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3100pF@25V

    连续漏极电流:7.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@4.7A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF60DM206 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF60DM206 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF60DM206

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:96W

    阈值电压:3.7V@150µA

    栅极电荷:200nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6530pF@25V

    连续漏极电流:130A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.9mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFPE50PBF 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFPE50PBF 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFPE50PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:190W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:200nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3100pF@25V

    连续漏极电流:7.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@4.7A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFPF50PBF 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFPF50PBF 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFPF50PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:190W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:200nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2900pF@25V

    连续漏极电流:6.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@4A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2006UFGQ-13 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2006UFGQ-13 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2006UFGQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€41W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:200nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7500pF@10V

    连续漏极电流:17.5A€40A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.5mΩ@15A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFR80N50Q3 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFR80N50Q3 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFR80N50Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:570W

    阈值电压:6.5V@8mA

    栅极电荷:200nC@10V

    输入电容:10000pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:72mΩ@40A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB0250N807L 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB0250N807L 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB0250N807L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.8W€214W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:200nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:15400pF@40V

    连续漏极电流:240A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@30A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA20DP-T1-RE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA20DP-T1-RE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA20DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:200nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10850pF@10V

    连续漏极电流:81.7A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.58mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA20DP-T1-RE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA20DP-T1-RE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA20DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:200nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10850pF@10V

    连续漏极电流:81.7A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.58mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFN44N80P 起订3个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFN44N80P 起订3个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFN44N80P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:694W

    阈值电压:5V@8mA

    栅极电荷:200nC@10V

    输入电容:12000pF@25V

    连续漏极电流:39A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@500mA,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTA140P05T 起订100个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTA140P05T 起订100个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTA140P05T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:298W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:200nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:13500pF@25V

    连续漏极电流:140A

    类型:P沟道

    导通电阻:9mΩ@70A,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTH140P05T 起订10个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTH140P05T 起订10个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTH140P05T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:298W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:200nC@10V

    包装方式:Tube

    输入电容:13500pF@25V

    连续漏极电流:140A

    类型:P沟道

    导通电阻:9mΩ@70A,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFN44N80P 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFN44N80P 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFN44N80P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:694W

    阈值电压:5V@8mA

    栅极电荷:200nC@10V

    输入电容:12000pF@25V

    连续漏极电流:39A

    类型:N沟道

    导通电阻:190mΩ@500mA,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA20DP-T1-RE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA20DP-T1-RE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA20DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:200nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10850pF@10V

    连续漏极电流:81.7A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.58mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTP140P05T 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTP140P05T 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTP140P05T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:298W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:200nC@10V

    输入电容:13500pF@25V

    连续漏极电流:140A

    类型:P沟道

    导通电阻:9mΩ@70A,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFPE50PBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFPE50PBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFPE50PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:190W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:200nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3100pF@25V

    连续漏极电流:7.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@4.7A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB0250N807L 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB0250N807L 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB0250N807L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.8W€214W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:200nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:15400pF@40V

    连续漏极电流:240A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.2mΩ@30A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTA140P05T 起订500个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTA140P05T 起订500个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTA140P05T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:298W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:200nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:13500pF@25V

    连续漏极电流:140A

    类型:P沟道

    导通电阻:9mΩ@70A,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA20DP-T1-RE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA20DP-T1-RE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA20DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€104W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:200nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10850pF@10V

    连续漏极电流:81.7A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.58mΩ@20A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2006UFGQ-13 起订6000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2006UFGQ-13 起订6000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2006UFGQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€41W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:200nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7500pF@10V

    连续漏极电流:17.5A€40A

    类型:P沟道

    导通电阻:5.5mΩ@15A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFPE50PBF 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFPE50PBF 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFPE50PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:190W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:200nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3100pF@25V

    连续漏极电流:7.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@4.7A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFPE50PBF 起订25个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFPE50PBF 起订25个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFPE50PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:190W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:200nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3100pF@25V

    连续漏极电流:7.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@4.7A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPW35N60C3FKSA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPW35N60C3FKSA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPW35N60C3FKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:313W

    阈值电压:3.9V@1.9mA

    栅极电荷:200nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4500pF@25V

    连续漏极电流:34.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@21.9A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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