品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SPW35N60C3FKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:3.9V@1.9mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4500pF@25V
连续漏极电流:34.6A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@21.9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB0250N807L
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.8W€214W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15400pF@40V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@30A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA20DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10850pF@10V
连续漏极电流:81.7A€100A
类型:N沟道
导通电阻:0.58mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2006UFGQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€41W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7500pF@10V
连续漏极电流:17.5A€40A
类型:P沟道
导通电阻:5.5mΩ@15A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP140P05T
工作温度:-55℃~150℃
功率:298W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:200nC@10V
输入电容:13500pF@25V
连续漏极电流:140A
类型:P沟道
导通电阻:9mΩ@70A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB0250N807L
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.8W€214W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15400pF@40V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@30A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFPE50PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3100pF@25V
连续漏极电流:7.8A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@4.7A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFPE50PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3100pF@25V
连续漏极电流:7.8A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@4.7A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF60DM206
工作温度:-55℃~150℃
功率:96W
阈值电压:3.7V@150µA
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6530pF@25V
连续漏极电流:130A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFPE50PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3100pF@25V
连续漏极电流:7.8A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@4.7A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFPF50PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2900pF@25V
连续漏极电流:6.7A
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@4A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2006UFGQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€41W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7500pF@10V
连续漏极电流:17.5A€40A
类型:P沟道
导通电阻:5.5mΩ@15A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFR80N50Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:570W
阈值电压:6.5V@8mA
栅极电荷:200nC@10V
输入电容:10000pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@40A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB0250N807L
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.8W€214W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15400pF@40V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@30A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA20DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10850pF@10V
连续漏极电流:81.7A€100A
类型:N沟道
导通电阻:0.58mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA20DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10850pF@10V
连续漏极电流:81.7A€100A
类型:N沟道
导通电阻:0.58mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFN44N80P
工作温度:-55℃~150℃
功率:694W
阈值电压:5V@8mA
栅极电荷:200nC@10V
输入电容:12000pF@25V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@500mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTA140P05T
工作温度:-55℃~150℃
功率:298W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:管件
输入电容:13500pF@25V
连续漏极电流:140A
类型:P沟道
导通电阻:9mΩ@70A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTH140P05T
工作温度:-55℃~150℃
功率:298W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:Tube
输入电容:13500pF@25V
连续漏极电流:140A
类型:P沟道
导通电阻:9mΩ@70A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFN44N80P
工作温度:-55℃~150℃
功率:694W
阈值电压:5V@8mA
栅极电荷:200nC@10V
输入电容:12000pF@25V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@500mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA20DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10850pF@10V
连续漏极电流:81.7A€100A
类型:N沟道
导通电阻:0.58mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP140P05T
工作温度:-55℃~150℃
功率:298W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:200nC@10V
输入电容:13500pF@25V
连续漏极电流:140A
类型:P沟道
导通电阻:9mΩ@70A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFPE50PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3100pF@25V
连续漏极电流:7.8A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@4.7A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB0250N807L
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.8W€214W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15400pF@40V
连续漏极电流:240A
类型:N沟道
导通电阻:2.2mΩ@30A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTA140P05T
工作温度:-55℃~150℃
功率:298W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:管件
输入电容:13500pF@25V
连续漏极电流:140A
类型:P沟道
导通电阻:9mΩ@70A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA20DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:6.25W€104W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10850pF@10V
连续漏极电流:81.7A€100A
类型:N沟道
导通电阻:0.58mΩ@20A,10V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP2006UFGQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€41W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7500pF@10V
连续漏极电流:17.5A€40A
类型:P沟道
导通电阻:5.5mΩ@15A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFPE50PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3100pF@25V
连续漏极电流:7.8A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@4.7A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFPE50PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:190W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3100pF@25V
连续漏极电流:7.8A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@4.7A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SPW35N60C3FKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:3.9V@1.9mA
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4500pF@25V
连续漏极电流:34.6A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@21.9A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存: