品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ035N03LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€69W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4400pF@15V
连续漏极电流:20A€40A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC057N08NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€114W
阈值电压:3.5V@73µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@40V
连续漏极电流:16A€100A
类型:N沟道
导通电阻:5.7mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP60R125P6XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:219W
阈值电压:4.5V@960µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2660pF@100V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:125mΩ@11.6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFP34N65X2
工作温度:-55℃~150℃
功率:540W
阈值电压:5.5V@2.5mA
栅极电荷:56nC@10V
输入电容:3330pF@25V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:105mΩ@17A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF13N50CF
工作温度:-55℃~150℃
功率:48W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2055pF@25V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:540mΩ@6.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ470DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€56.8W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2050pF@50V
连续漏极电流:58.8A
类型:N沟道
导通电阻:9.1mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA36DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2815pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF400N80ZL1-F154
工作温度:-55℃~150℃
功率:35.7W
阈值电压:4.5V@1.1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2350pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@5.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA36DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2815pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":50000,"MI+":12686}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC057N08NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€114W
阈值电压:3.5V@73µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@40V
连续漏极电流:16A€100A
类型:N沟道
导通电阻:5.7mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2011UFDF-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2248pF@10V
连续漏极电流:14.2A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ035N03LSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€69W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4400pF@15V
连续漏极电流:20A€40A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC057N08NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€114W
阈值电压:3.5V@73µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@40V
连续漏极电流:16A€100A
类型:N沟道
导通电阻:5.7mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFH6N120
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:5V@2.5mA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1950pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:2.6Ω@3A,10V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFH34N65X2
工作温度:-55℃~150℃
功率:540W
阈值电压:5.5V@2.5mA
栅极电荷:56nC@10V
输入电容:3330pF@25V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:105mΩ@17A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF43N60DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:40W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2500pF@100V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:93mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS22LDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2540pF@30V
连续漏极电流:25.5A€92.5A
类型:N沟道
导通电阻:3.65mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):R6030KNX
工作温度:-55℃~150℃
功率:86W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:散装
输入电容:2350pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:130mΩ@14.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP43N60DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2500pF@100V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:93mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP7NK80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1138pF@25V
连续漏极电流:5.2A
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@2.6A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2011UFDF-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2248pF@10V
连续漏极电流:14.2A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STB7NK80ZT4
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1138pF@25V
连续漏极电流:5.2A
类型:N沟道
导通电阻:1.8Ω@2.6A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW45N60DM2AG
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2500pF@100V
连续漏极电流:34A
类型:N沟道
导通电阻:93mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRC04DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2850pF@15V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.45mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":6000,"22+":8000,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQI13N50CTU
工作温度:-55℃~150℃
功率:195W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2055pF@25V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:480mΩ@6.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA13N50CF
工作温度:-55℃~150℃
功率:218W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2055pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:480mΩ@7.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW9NK95Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:160W
阈值电压:4.5V@100µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2256pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:1.38Ω@3.6A,10V
漏源电压:950V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2011UFDF-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2248pF@10V
连续漏极电流:14.2A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIJ470DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€56.8W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2050pF@50V
连续漏极电流:58.8A
类型:N沟道
导通电阻:9.1mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF400N80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:35.7W
阈值电压:4.5V@1.1mA
栅极电荷:56nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2350pF@100V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:400mΩ@5.5A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存: