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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4842BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€6.25W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3650pF@15V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS037N08B
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW€104.2W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5915pF@37.5V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4425BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8.8A
类型：P沟道
导通电阻：12mΩ@11.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4425BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8.8A
类型：P沟道
导通电阻：12mΩ@11.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS039N08B
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7600pF@40V
连续漏极电流：19.4A€100A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4425BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8.8A
类型：P沟道
导通电阻：12mΩ@11.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：240}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPZ60R070P6FKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：391W
阈值电压：4.5V@1.72mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4750pF@100V
连续漏极电流：53.5A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@20.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4842BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€6.25W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3650pF@15V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H015G5WS
工作温度：-55℃~150℃
功率：266W
阈值电压：4.8V@2mA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5218pF@400V
连续漏极电流：93A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@60A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDA59N30
工作温度：-55℃~150℃
功率：500W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4670pF@25V
连续漏极电流：59A
类型：N沟道
导通电阻：56mΩ@29.5A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDA69N25
工作温度：-55℃~150℃
功率：480W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4640pF@25V
连续漏极电流：69A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@34.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7460DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：9.6mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7460DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：9.6mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4401FDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@20V
连续漏极电流：9.9A€14A
类型：P沟道
导通电阻：14.2mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN1R3-30YL，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：121W
阈值电压：2.15V@1mA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6227pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIRA52ADP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：4.8W€48W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5500pF@20V
连续漏极电流：41.6A€131A
类型：N沟道
导通电阻：1.63mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTH64N10L2
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3620pF@25V
连续漏极电流：64A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@32A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6276
工作温度：-55℃~150℃
功率：215W
阈值电压：3.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4940pF@40V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@20A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS039N08B
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7600pF@40V
连续漏极电流：19.4A€100A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS037N08B
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW€104.2W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5915pF@37.5V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6590A
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.3W€208W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8320pF@20V
连续漏极电流：67A€100A
类型：N沟道
导通电阻：0.99mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDA69N25
工作温度：-55℃~150℃
功率：480W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4640pF@25V
连续漏极电流：69A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@34.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4425BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8.8A
类型：P沟道
导通电阻：12mΩ@11.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDA69N25
工作温度：-55℃~150℃
功率：480W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4640pF@25V
连续漏极电流：69A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@34.5A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS039N08B
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7600pF@40V
连续漏极电流：19.4A€100A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS039N08B
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€104W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7600pF@40V
连续漏极电流：19.4A€100A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTH64N10L2
工作温度：-55℃~150℃
功率：357W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3620pF@25V
连续漏极电流：64A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@32A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4401FDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4000pF@20V
连续漏极电流：9.9A€14A
类型：P沟道
导通电阻：14.2mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4842BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€6.25W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3650pF@15V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AON6590A
工作温度：-55℃~150℃
功率：7.3W€208W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8320pF@20V
连续漏极电流：67A€100A
类型：N沟道
导通电阻：0.99mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
