采购热线 400-661-9010
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTA1R4N100P
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：17.8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：11Ω@500mA，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD9N60NTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：92.6W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：17.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：385mΩ@4.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTA1R4N100P
工作温度：-55℃~150℃
功率：63W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：17.8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：11Ω@500mA，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCD9N60NTM
工作温度：-55℃~150℃
功率：92.6W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：17.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：385mΩ@4.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
