品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON7254
阈值电压:2.7V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:675pF@75V
功率:4.1W€39W
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
漏源电压:150V
导通电阻:54mΩ@5A,10V
栅极电荷:20nC@10V
连续漏极电流:5.5A€17A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS5708DN-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:23mΩ@10A,10V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:9.3A€33.8A
功率:5W€65.7W
类型:N沟道
漏源电压:150V
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
输入电容:975pF@75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS5708DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:975pF@75V
连续漏极电流:9.3A€33.8A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@10A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS5708DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:975pF@75V
连续漏极电流:9.3A€33.8A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@10A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS5708DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:975pF@75V
连续漏极电流:9.3A€33.8A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@10A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON7254
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.1W€39W
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:675pF@75V
连续漏极电流:5.5A€17A
类型:N沟道
导通电阻:54mΩ@5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON7254
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.1W€39W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:675pF@75V
连续漏极电流:5.5A€17A
类型:N沟道
导通电阻:54mΩ@5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS5708DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:975pF@75V
连续漏极电流:9.3A€33.8A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@10A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS5708DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:975pF@75V
连续漏极电流:9.3A€33.8A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@10A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS5708DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:975pF@75V
连续漏极电流:9.3A€33.8A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@10A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON7254
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.1W€39W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:675pF@75V
连续漏极电流:5.5A€17A
类型:N沟道
导通电阻:54mΩ@5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON7254
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.1W€39W
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:675pF@75V
连续漏极电流:5.5A€17A
类型:N沟道
导通电阻:54mΩ@5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON7254
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.1W€39W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:675pF@75V
连续漏极电流:5.5A€17A
类型:N沟道
导通电阻:54mΩ@5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON7254
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.1W€39W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:675pF@75V
连续漏极电流:5.5A€17A
类型:N沟道
导通电阻:54mΩ@5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS5708DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:975pF@75V
连续漏极电流:9.3A€33.8A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@10A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS5708DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:975pF@75V
连续漏极电流:9.3A€33.8A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@10A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS5708DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:975pF@75V
连续漏极电流:9.3A€33.8A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@10A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS5708DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:975pF@75V
连续漏极电流:9.3A€33.8A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@10A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS5708DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:975pF@75V
连续漏极电流:9.3A€33.8A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@10A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON7254
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.1W€39W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:675pF@75V
连续漏极电流:5.5A€17A
类型:N沟道
导通电阻:54mΩ@5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON7254
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.1W€39W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:675pF@75V
连续漏极电流:5.5A€17A
类型:N沟道
导通电阻:54mΩ@5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON7254
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.1W€39W
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:675pF@75V
连续漏极电流:5.5A€17A
类型:N沟道
导通电阻:54mΩ@5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON7254
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.1W€39W
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:675pF@75V
连续漏极电流:5.5A€17A
类型:N沟道
导通电阻:54mΩ@5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS5708DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:975pF@75V
连续漏极电流:9.3A€33.8A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@10A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS5708DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:975pF@75V
连续漏极电流:9.3A€33.8A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@10A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON7254
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.1W€39W
阈值电压:2.7V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:675pF@75V
连续漏极电流:5.5A€17A
类型:N沟道
导通电阻:54mΩ@5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON7254
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.1W€39W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:675pF@75V
连续漏极电流:5.5A€17A
类型:N沟道
导通电阻:54mΩ@5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS5708DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:975pF@75V
连续漏极电流:9.3A€33.8A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@10A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS5708DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€65.7W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:975pF@75V
连续漏极电流:9.3A€33.8A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@10A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存: