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    栅极电荷: 195nC@10V
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    TI Mosfet场效应管 CSD18509Q5BT 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18509Q5BT 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18509Q5BT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:195nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:13900pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2mΩ@32A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18509Q5B 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18509Q5B 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18509Q5B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:195nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:13900pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2mΩ@32A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFX32N100Q3 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFX32N100Q3 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFX32N100Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1250W

    阈值电压:6.5V@8mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:195nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:9940pF@25V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:320mΩ@16A,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFN80N50P 起订10个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFN80N50P 起订10个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFN80N50P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700W

    阈值电压:5V@8mA

    栅极电荷:195nC@10V

    输入电容:12700pF@25V

    连续漏极电流:66A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@500mA,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18509Q5B 起订2500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18509Q5B 起订2500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18509Q5B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:195nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:13900pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2mΩ@32A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18509Q5BT 起订1个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18509Q5BT 起订1个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18509Q5BT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:195nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:13900pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2mΩ@32A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4459ADY-T1-GE3 起订9个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4459ADY-T1-GE3 起订9个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:1928

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4459ADY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€7.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:195nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6000pF@15V

    连续漏极电流:29A

    类型:P沟道

    导通电阻:5mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18509Q5BT 起订1个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18509Q5BT 起订1个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18509Q5BT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:195nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:13900pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2mΩ@32A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4459ADY-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4459ADY-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4459ADY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€7.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:195nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6000pF@15V

    连续漏极电流:29A

    类型:P沟道

    导通电阻:5mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB020N10N5LFATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB020N10N5LFATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB020N10N5LFATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:313W

    阈值电压:4.1V@270µA

    栅极电荷:195nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@50V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@100A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18509Q5B 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18509Q5B 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18509Q5B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:195nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:13900pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2mΩ@32A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4459ADY-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4459ADY-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4459ADY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€7.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:195nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6000pF@15V

    连续漏极电流:29A

    类型:P沟道

    导通电阻:5mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18509Q5BT 起订1个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18509Q5BT 起订1个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18509Q5BT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:195nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:13900pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2mΩ@32A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18509Q5BT 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18509Q5BT 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18509Q5BT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:195nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:13900pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2mΩ@32A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4459ADY-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4459ADY-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4459ADY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€7.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:195nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6000pF@15V

    连续漏极电流:29A

    类型:P沟道

    导通电阻:5mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    INFINEON Mosfet场效应管 IPB020N10N5LFATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB020N10N5LFATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB020N10N5LFATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:313W

    阈值电压:4.1V@270µA

    栅极电荷:195nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@50V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@100A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4459ADY-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4459ADY-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4459ADY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€7.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:195nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6000pF@15V

    连续漏极电流:29A

    类型:P沟道

    导通电阻:5mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4459ADY-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4459ADY-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4459ADY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€7.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:195nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6000pF@15V

    连续漏极电流:29A

    类型:P沟道

    导通电阻:5mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    INFINEON Mosfet场效应管 IPB020N10N5LFATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB020N10N5LFATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB020N10N5LFATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:313W

    阈值电压:4.1V@270µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:195nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@50V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@100A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    INFINEON Mosfet场效应管 IPB017N10N5LFATMA1 起订300个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB017N10N5LFATMA1 起订300个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":1116,"MI+":1000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB017N10N5LFATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:313W

    阈值电压:4.1V@270µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:195nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@50V

    连续漏极电流:180A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@100A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4459ADY-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4459ADY-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4459ADY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€7.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:195nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6000pF@15V

    连续漏极电流:29A

    类型:P沟道

    导通电阻:5mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    TI Mosfet场效应管 CSD18509Q5BT 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18509Q5BT 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18509Q5BT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:195nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:13900pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2mΩ@32A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18509Q5BT 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18509Q5BT 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18509Q5BT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:195nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:13900pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2mΩ@32A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4459ADY-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4459ADY-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4459ADY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€7.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:195nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6000pF@15V

    连续漏极电流:29A

    类型:P沟道

    导通电阻:5mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4459ADY-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4459ADY-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4459ADY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€7.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:195nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6000pF@15V

    连续漏极电流:29A

    类型:P沟道

    导通电阻:5mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    INFINEON Mosfet场效应管 IPB017N10N5LFATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB017N10N5LFATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB017N10N5LFATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:313W

    阈值电压:4.1V@270µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:195nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:840pF@50V

    连续漏极电流:180A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@100A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4459ADY-T1-GE3 起订2500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4459ADY-T1-GE3 起订2500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:1928

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4459ADY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€7.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:195nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6000pF@15V

    连续漏极电流:29A

    类型:P沟道

    导通电阻:5mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18509Q5B 起订500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18509Q5B 起订500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18509Q5B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:195nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:13900pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2mΩ@32A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18509Q5BT 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18509Q5BT 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18509Q5BT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:195nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:13900pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2mΩ@32A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18509Q5B 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18509Q5B 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18509Q5B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€195W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:195nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:13900pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2mΩ@32A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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