品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32D4S-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:370mW
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51.16pF@15V
连续漏极电流:300mA
类型:P沟道
导通电阻:2.4Ω@300mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32D4SW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51.16pF@15V
连续漏极电流:250mA
类型:P沟道
导通电阻:2.4Ω@500mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32D4S-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:370mW
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51.16pF@15V
连续漏极电流:300mA
类型:P沟道
导通电阻:2.4Ω@300mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32D4SW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51.16pF@15V
连续漏极电流:250mA
类型:P沟道
导通电阻:2.4Ω@500mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32D4SW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51.16pF@15V
连续漏极电流:250mA
类型:P沟道
导通电阻:2.4Ω@500mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN53D0LW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
阈值电压:1.5V@100µA
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45.8pF@25V
连续漏极电流:360mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@270mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32D4SW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51.16pF@15V
连续漏极电流:250mA
类型:P沟道
导通电阻:2.4Ω@500mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32D4S-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:370mW
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51.16pF@15V
连续漏极电流:300mA
类型:P沟道
导通电阻:2.4Ω@300mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN53D0LW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
阈值电压:1.5V@100µA
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45.8pF@25V
连续漏极电流:360mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@270mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32D4S-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:370mW
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51.16pF@15V
连续漏极电流:300mA
类型:P沟道
导通电阻:2.4Ω@300mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN53D0LW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
阈值电压:1.5V@100µA
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45.8pF@25V
连续漏极电流:360mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@270mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN31D5L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32D4S-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:370mW
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51.16pF@15V
连续漏极电流:300mA
类型:P沟道
导通电阻:2.4Ω@300mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32D4SW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51.16pF@15V
连续漏极电流:250mA
类型:P沟道
导通电阻:2.4Ω@500mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN31D5L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32D4SW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51.16pF@15V
连续漏极电流:250mA
类型:P沟道
导通电阻:2.4Ω@500mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN31D5L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.6V@250µA
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN53D0LW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
阈值电压:1.5V@100µA
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45.8pF@25V
连续漏极电流:360mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@270mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32D4S-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:370mW
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51.16pF@15V
连续漏极电流:300mA
类型:P沟道
导通电阻:2.4Ω@300mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32D4SW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51.16pF@15V
连续漏极电流:250mA
类型:P沟道
导通电阻:2.4Ω@500mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN31D5L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32D4S-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:370mW
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51.16pF@15V
连续漏极电流:300mA
类型:P沟道
导通电阻:2.4Ω@300mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32D4SW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51.16pF@15V
连续漏极电流:250mA
类型:P沟道
导通电阻:2.4Ω@500mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32D4SW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51.16pF@15V
连续漏极电流:250mA
类型:P沟道
导通电阻:2.4Ω@500mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN31D5L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:350mW
阈值电压:1.6V@250µA
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@15V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:1.5Ω@10mA,4V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN53D0LW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
阈值电压:1.5V@100µA
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45.8pF@25V
连续漏极电流:360mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@270mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN53D0LW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
阈值电压:1.5V@100µA
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45.8pF@25V
连续漏极电流:360mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@270mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN53D0LW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
阈值电压:1.5V@100µA
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45.8pF@25V
连续漏极电流:360mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@270mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32D4SW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51.16pF@15V
连续漏极电流:250mA
类型:P沟道
导通电阻:2.4Ω@500mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP32D4SW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:1.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:51.16pF@15V
连续漏极电流:250mA
类型:P沟道
导通电阻:2.4Ω@500mA,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: