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    品牌: VISHAY
    工作温度: -55℃~150℃
    栅极电荷: 32nC@10V
    包装方式: 卷带(TR)
    当前匹配商品:100+
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    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA12BDP-T1-GE3 起订1500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA12BDP-T1-GE3 起订1500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA12BDP-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:27A€60A

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.4V@250µA

    类型:N沟道

    功率:5W€38W

    导通电阻:4.3mΩ@10A,10V

    输入电容:1470pF@15V

    栅极电荷:32nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5476DU-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5476DU-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5476DU-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    连续漏极电流:12A

    漏源电压:60V

    输入电容:1100pF@30V

    栅极电荷:32nC@10V

    功率:3.1W€31W

    导通电阻:34mΩ@4.6A,10V

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS184DN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS184DN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS184DN-T1-GE3

    导通电阻:5.8mΩ@10A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:17.4A€65.3A

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    输入电容:1490pF@30V

    栅极电荷:32nC@10V

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:3.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR184DP-T1-RE3 起订6000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR184DP-T1-RE3 起订6000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR184DP-T1-RE3

    导通电阻:5.8mΩ@10A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:20.7A€73A

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    功率:5W€62.5W

    输入电容:1490pF@30V

    栅极电荷:32nC@10V

    阈值电压:3.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS862DN-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS862DN-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS862DN-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    输入电容:1320pF@30V

    栅极电荷:32nC@10V

    功率:3.7W€52W

    ECCN:EAR99

    导通电阻:8.5mΩ@20A,10V

    连续漏极电流:40A

    阈值电压:2.6V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS184DN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS184DN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS184DN-T1-GE3

    导通电阻:5.8mΩ@10A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:17.4A€65.3A

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    输入电容:1490pF@30V

    栅极电荷:32nC@10V

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:3.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS184DN-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS184DN-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS184DN-T1-GE3

    导通电阻:5.8mΩ@10A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:17.4A€65.3A

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    输入电容:1490pF@30V

    栅极电荷:32nC@10V

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:3.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5476DU-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5476DU-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5476DU-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    连续漏极电流:12A

    漏源电压:60V

    输入电容:1100pF@30V

    栅极电荷:32nC@10V

    功率:3.1W€31W

    导通电阻:34mΩ@4.6A,10V

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4436DY-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4436DY-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4436DY-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    输入电容:1100pF@30V

    连续漏极电流:8A

    功率:2.5W€5W

    栅极电荷:32nC@10V

    导通电阻:36mΩ@4.6A,10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5476DU-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5476DU-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5476DU-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    连续漏极电流:12A

    漏源电压:60V

    输入电容:1100pF@30V

    栅极电荷:32nC@10V

    功率:3.1W€31W

    导通电阻:34mΩ@4.6A,10V

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4436DY-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4436DY-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4436DY-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    输入电容:1100pF@30V

    连续漏极电流:8A

    功率:2.5W€5W

    栅极电荷:32nC@10V

    导通电阻:36mΩ@4.6A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS184DN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS184DN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS184DN-T1-GE3

    导通电阻:5.8mΩ@10A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:17.4A€65.3A

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    输入电容:1490pF@30V

    栅极电荷:32nC@10V

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:3.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS184DN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS184DN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS184DN-T1-GE3

    导通电阻:5.8mΩ@10A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:17.4A€65.3A

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    输入电容:1490pF@30V

    栅极电荷:32nC@10V

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:3.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS126DN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS126DN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS126DN-T1-GE3

    导通电阻:10.2mΩ@10A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:12A€45.1A

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:80V

    输入电容:1402pF@40V

    阈值电压:3.5V@250µA

    栅极电荷:32nC@10V

    功率:3.7W€52W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5476DU-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5476DU-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5476DU-T1-GE3

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    连续漏极电流:12A

    漏源电压:60V

    输入电容:1100pF@30V

    栅极电荷:32nC@10V

    功率:3.1W€31W

    导通电阻:34mΩ@4.6A,10V

    阈值电压:3V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS184DN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS184DN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS184DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:3.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1490pF@30V

    连续漏极电流:17.4A€65.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.8mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR184DP-T1-RE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR184DP-T1-RE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR184DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:62.5W

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:73A

    类型:N-Channel

    导通电阻:5.8mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH114ADN-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISH114ADN-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISH114ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€39W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1230pF@15V

    连续漏极电流:18A€35A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@18A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5424DC-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5424DC-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5424DC-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€6.25W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@4.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4436DY-T1-E3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4436DY-T1-E3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4436DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@30V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@4.6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5424DC-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5424DC-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5424DC-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€6.25W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:950pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@4.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4436DY-T1-E3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4436DY-T1-E3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4436DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@30V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@4.6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR802DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR802DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR802DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.6W€27.7W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1785pF@10V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:5mΩ@10A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS126DN-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS126DN-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS126DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1402pF@40V

    连续漏极电流:12A€45.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.2mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS126DN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS126DN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS126DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1402pF@40V

    连续漏极电流:12A€45.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.2mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS184DN-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS184DN-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS184DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:3.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1490pF@30V

    连续漏极电流:17.4A€65.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.8mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA12BDP-T1-GE3 起订14个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA12BDP-T1-GE3 起订14个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA12BDP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€38W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1470pF@15V

    连续漏极电流:27A€60A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS184DN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS184DN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS184DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:3.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1490pF@30V

    连续漏极电流:17.4A€65.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.8mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4436DY-T1-E3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4436DY-T1-E3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4436DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@30V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@4.6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA12BDP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA12BDP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA12BDP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€38W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1470pF@15V

    连续漏极电流:27A€60A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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