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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN10H120SE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：549pF@50V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2300DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W€1.7W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：68mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI2300DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W€1.7W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：68mΩ@2.9A，4.5V
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功率：1.3W
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栅极电荷：10nC@10V
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输入电容：549pF@50V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
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规格型号(MPN)：SI2300DS-T1-GE3
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阈值电压：1.5V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：68mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：30V
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输入电容：320pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：68mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：30V
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输入电容：320pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：68mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：30V
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输入电容：320pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：68mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：DMN10H120SE-13
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功率：1.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：549pF@50V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
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规格型号(MPN)：SI2300DS-T1-GE3
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功率：1.1W€1.7W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：320pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：68mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：30V
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连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@3.3A，10V
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输入电容：320pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：68mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：30V
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阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@10V
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输入电容：320pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
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连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：68mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：30V
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连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：68mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：30V
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输入电容：320pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：68mΩ@2.9A，4.5V
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栅极电荷：10nC@10V
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连续漏极电流：3.6A
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类型：N沟道
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连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：68mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：30V
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连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：68mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：30V
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连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：68mΩ@2.9A，4.5V
漏源电压：30V
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