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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB22N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1920pF@100V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@11A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG22N60E-E3
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功率：227W
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类型：N沟道
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库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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销售单位：个
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB22N60E-GE3
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP22N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
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连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@11A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHF22N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
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包装方式：管件
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连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@11A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG22N60E-GE3
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类型：N沟道
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP22N60E-GE3
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功率：227W
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类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@11A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP22N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
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连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@11A，10V
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库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB22N60ET1-GE3
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类型：N沟道
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB22N60ET1-GE3
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ECCN：EAR99
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP22N60E-GE3
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP22N60E-GE3
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类型：N沟道
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG22N60E-GE3
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG22N60E-GE3
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ECCN：EAR99
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类型：N沟道
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG22N60E-GE3
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类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@11A，10V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHG22N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
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栅极电荷：86nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1920pF@100V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@11A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB22N60ET1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1920pF@100V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@11A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHA22N60E-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1920pF@100V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@11A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SiHP22N60E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：227W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：86nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1920pF@100V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@11A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：SIHA22N60E-E3
栅极电荷：86nC@10V
功率：35W
连续漏极电流：21A
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@11A，10V
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
漏源电压：600V
输入电容：1920pF@100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
