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    栅极电荷: 25nC@4.5V
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    onsemi Mosfet场效应管 FDC606P 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC606P 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC606P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:25nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1699pF@6V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:26mΩ@6A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4444P_R2_00001 起订3个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4444P_R2_00001 起订3个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4444P_R2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€50W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:25nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1258pF@25V

    连续漏极电流:14A€70A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2333CDS-T1-GE3 起订15个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2333CDS-T1-GE3 起订15个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2333CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W€2.5W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:25nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1225pF@6V

    连续漏极电流:7.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:35mΩ@5.1A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4444P_R2_00001 起订3个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4444P_R2_00001 起订3个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4444P_R2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€50W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:25nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1258pF@25V

    连续漏极电流:14A€70A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2333CDS-T1-E3 起订12个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2333CDS-T1-E3 起订12个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2333CDS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W€2.5W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:25nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1225pF@6V

    连续漏极电流:7.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:35mΩ@5.1A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17301Q5A 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17301Q5A 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17301Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W

    阈值电压:1.55V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3480pF@15V

    连续漏极电流:28A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.6mΩ@25A,8V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323CDS-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323CDS-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2323CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W€2.5W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1090pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:39mΩ@4.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323CDS-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323CDS-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2323CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W€2.5W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1090pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:39mΩ@4.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2333CDS-T1-E3 起订5000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2333CDS-T1-E3 起订5000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2333CDS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W€2.5W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:25nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1225pF@6V

    连续漏极电流:7.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:35mΩ@5.1A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2333CDS-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2333CDS-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2333CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W€2.5W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1225pF@6V

    连续漏极电流:7.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:35mΩ@5.1A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4444P_R2_00001 起订10个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4444P_R2_00001 起订10个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4444P_R2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€50W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:25nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1258pF@25V

    连续漏极电流:14A€70A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2333CDS-T1-BE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2333CDS-T1-BE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2333CDS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W€2.5W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1225pF@6V

    连续漏极电流:5.1A€7.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:35mΩ@5.1A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2333CDS-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2333CDS-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2333CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W€2.5W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1225pF@6V

    连续漏极电流:7.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:35mΩ@5.1A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16325Q5 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16325Q5 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16325Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4000pF@12.5V

    连续漏极电流:33A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@30A,8V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4444P_R2_00001 起订2000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJQ4444P_R2_00001 起订2000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJQ4444P_R2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€50W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:25nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1258pF@25V

    连续漏极电流:14A€70A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4874BDY-T1-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4874BDY-T1-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4874BDY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:25nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3230pF@15V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@16A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD16325Q5 起订5000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16325Q5 起订5000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":5572}

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16325Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4000pF@12.5V

    连续漏极电流:33A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@30A,8V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323CDS-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323CDS-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2323CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W€2.5W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:25nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1090pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:39mΩ@4.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323CDS-T1-BE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323CDS-T1-BE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2323CDS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W€2.5W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:25nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1090pF@10V

    连续漏极电流:4.6A€6A

    类型:P沟道

    导通电阻:39mΩ@4.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2333CDS-T1-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2333CDS-T1-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2333CDS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W€2.5W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1225pF@6V

    连续漏极电流:7.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:35mΩ@5.1A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDC606P 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC606P 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC606P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1699pF@6V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:26mΩ@6A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO4262E 起订3000个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4262E 起订3000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4262E

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:25nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1652pF@30V

    连续漏极电流:16.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@16.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO4262E 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4262E 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4262E

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:25nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1652pF@30V

    连续漏极电流:16.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.5mΩ@16.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2333CDS-T1-GE3 起订19个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2333CDS-T1-GE3 起订19个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2333CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W€2.5W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:25nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1225pF@6V

    连续漏极电流:7.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:35mΩ@5.1A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323CDS-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2323CDS-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2323CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W€2.5W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:25nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1090pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:39mΩ@4.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM038N03PQ33 RGG 起订2000个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM038N03PQ33 RGG 起订2000个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM038N03PQ33 RGG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:39W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2557pF@15V

    连续漏极电流:78A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@19A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI2333CDS-T1-BE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2333CDS-T1-BE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2333CDS-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W€2.5W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1225pF@6V

    连续漏极电流:5.1A€7.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:35mΩ@5.1A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI2333CDS-T1-E3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2333CDS-T1-E3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2333CDS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W€2.5W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:25nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1225pF@6V

    连续漏极电流:7.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:35mΩ@5.1A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI2333CDS-T1-E3 起订250个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2333CDS-T1-E3 起订250个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2333CDS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W€2.5W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:25nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1225pF@6V

    连续漏极电流:7.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:35mΩ@5.1A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI2333CDS-T1-E3 起订1500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2333CDS-T1-E3 起订1500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2333CDS-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.25W€2.5W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:25nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1225pF@6V

    连续漏极电流:7.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:35mΩ@5.1A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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