品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB60R190C6ATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:151W
阈值电压:3.5V@630µA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@100V
连续漏极电流:20.2A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@9.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF740PBF-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:550mΩ@5.3A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH080N60E-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:184W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2557pF@100V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP52N20
工作温度:-55℃~150℃
功率:357W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2900pF@25V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:49mΩ@26A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP440PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:8.8A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@5.3A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFP20N85X
工作温度:-55℃~150℃
功率:540W
阈值电压:5.5V@2.5mA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1660pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:330mΩ@500mA,10V
漏源电压:850V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHG080N60E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:227W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2557pF@100V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@17A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF740PBF-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:550mΩ@5.3A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86263P
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3905pF@75V
连续漏极电流:4.4A€22A
类型:P沟道
导通电阻:53mΩ@4.4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF840STRRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@4.8A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86520L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€69W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
输入电容:4615pF@30V
连续漏极电流:13.5A€22A
类型:N沟道
导通电阻:8.2mΩ@13.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5H615NLT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€139W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4860pF@30V
连续漏极电流:28A€185A
类型:N沟道
导通电阻:1.8mΩ@49A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF740PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:550mΩ@6A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF740PBF-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:550mΩ@5.3A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SPP15N60C3XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:3.9V@675µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1660pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@9.4A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPI60R190C6XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:151W
阈值电压:3.5V@630µA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1400pF@100V
连续漏极电流:20.2A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@9.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86520L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€69W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
输入电容:4615pF@30V
连续漏极电流:13.5A€22A
类型:N沟道
导通电阻:8.2mΩ@13.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF840STRLPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@4.8A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF740STRLPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:550mΩ@6A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3407DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.2W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1670pF@10V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:24mΩ@7.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF840SPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@4.8A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":311,"20+":500,"22+":400}
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPI60R190C6XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:151W
阈值电压:3.5V@630µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1400pF@100V
连续漏极电流:20.2A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@9.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF740PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:550mΩ@6A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS86263P
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€104W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3905pF@75V
连续漏极电流:4.4A€22A
类型:P沟道
导通电阻:53mΩ@4.4A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP244PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1400pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:280mΩ@9A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF15N65
工作温度:-55℃~150℃
功率:38.5W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3095pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:440mΩ@7.5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18511Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:2.45V@250µA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5850pF@10V
连续漏极电流:159A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@24A,4.5V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF840STRLPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@4.8A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:1538
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD6637
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€57W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:63nC@10V
输入电容:2370pF@20V
连续漏极电流:13A€55A
类型:P沟道
导通电阻:11.6mΩ@14A,10V
漏源电压:35V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18511Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:2.45V@250µA
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5850pF@10V
连续漏极电流:159A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@24A,4.5V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: