品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD3NK60Z-1
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:11.8nC@10V
包装方式:管件
输入电容:311pF@25V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:3.6Ω@1.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD3NK60ZT4
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:11.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:311pF@25V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:3.6Ω@1.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD3NK60Z-1
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:11.8nC@10V
包装方式:管件
输入电容:311pF@25V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:3.6Ω@1.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STP3NK60ZFP
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:11.8nC@10V
包装方式:管件
输入电容:311pF@25V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:3.6Ω@1.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD3NK60ZT4
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:11.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:311pF@25V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:3.6Ω@1.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3056L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.38W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:642pF@25V
连续漏极电流:4.3A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3056L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.38W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:642pF@25V
连续漏极电流:4.3A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP3NK60Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:11.8nC@10V
包装方式:管件
输入电容:311pF@25V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:3.6Ω@1.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD3NK60Z-1
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:11.8nC@10V
包装方式:管件
输入电容:311pF@25V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:3.6Ω@1.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3056L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.38W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:11.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:642pF@25V
连续漏极电流:4.3A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3056L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.38W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:642pF@25V
连续漏极电流:4.3A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3056L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.38W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:11.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:642pF@25V
连续漏极电流:4.3A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD3NK60ZT4
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:11.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:311pF@25V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:3.6Ω@1.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD3NK60ZT4
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:11.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:311pF@25V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:3.6Ω@1.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3056L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.38W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:11.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:642pF@25V
连续漏极电流:4.3A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3056L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.38W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:642pF@25V
连续漏极电流:4.3A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3056L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.38W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:11.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:642pF@25V
连续漏极电流:4.3A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3056L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.38W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:11.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:642pF@25V
连续漏极电流:4.3A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3056L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.38W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:11.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:642pF@25V
连续漏极电流:4.3A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3056L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.38W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:11.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:642pF@25V
连续漏极电流:4.3A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD3NK60ZT4
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:11.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:311pF@25V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:3.6Ω@1.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD3NK60Z-1
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:11.8nC@10V
包装方式:管件
输入电容:311pF@25V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:3.6Ω@1.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD3NK60ZT4
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:11.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:311pF@25V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:3.6Ω@1.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STP3NK60ZFP
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:11.8nC@10V
包装方式:管件
输入电容:311pF@25V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:3.6Ω@1.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3056L-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.38W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:11.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:642pF@25V
连续漏极电流:4.3A
类型:P沟道
导通电阻:50mΩ@6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STP3NK60ZFP
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:11.8nC@10V
包装方式:管件
输入电容:311pF@25V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:3.6Ω@1.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD3NK60ZT4
工作温度:-55℃~150℃
功率:45W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:11.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:311pF@25V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:3.6Ω@1.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STP3NK60ZFP
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:11.8nC@10V
包装方式:管件
输入电容:311pF@25V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:3.6Ω@1.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STP3NK60ZFP
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:4.5V@50µA
栅极电荷:11.8nC@10V
包装方式:管件
输入电容:311pF@25V
连续漏极电流:2.4A
类型:N沟道
导通电阻:3.6Ω@1.2A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: