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    栅极电荷: 68nC@10V
    包装方式: 卷带(TR)
    行业应用: 工业
    当前匹配商品:300+
    商品信息
    参数
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    价格
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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4634DY-T1-E3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4634DY-T1-E3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4634DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5.7W

    阈值电压:2.6V@250µA

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3150pF@15V

    连续漏极电流:24.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.2mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC060N10NS3GATMA1 起订176个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC060N10NS3GATMA1 起订176个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":30000,"23+":14870,"24+":3831,"MI+":5000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC060N10NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:3.5V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4900pF@50V

    连续漏极电流:14.9A€90A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@50A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC060N10NS3GATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC060N10NS3GATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC060N10NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:3.5V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4900pF@50V

    连续漏极电流:14.9A€90A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@50A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS64DN-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS64DN-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS64DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:57W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3420pF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF644STRRPBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF644STRRPBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF644STRRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@8.4A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18502Q5B 起订1个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18502Q5B 起订1个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18502Q5B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€156W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5070pF@20V

    连续漏极电流:26A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC060N10NS3GATMA1 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC060N10NS3GATMA1 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC060N10NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:3.5V@90µA

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4900pF@50V

    连续漏极电流:14.9A€90A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@50A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18502Q5B 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18502Q5B 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18502Q5B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€156W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5070pF@20V

    连续漏极电流:26A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7634BDP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7634BDP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7634BDP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€48W

    阈值电压:2.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3150pF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.4mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC060N10NS3GATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC060N10NS3GATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC060N10NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:3.5V@90µA

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4900pF@50V

    连续漏极电流:14.9A€90A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@50A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT32M5LPS-13 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT32M5LPS-13 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT32M5LPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:100W

    阈值电压:3V@1mA

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3944pF@25V

    连续漏极电流:150A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC060N10NS3GATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC060N10NS3GATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC060N10NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:3.5V@90µA

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4900pF@50V

    连续漏极电流:14.9A€90A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@50A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF644STRRPBF 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF644STRRPBF 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF644STRRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:280mΩ@8.4A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC7570S 起订241个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC7570S 起订241个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":2872,"22+":956,"23+":2773}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC7570S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€59W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4410pF@13V

    连续漏极电流:27A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@27A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4634DY-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4634DY-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4634DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5.7W

    阈值电压:2.6V@250µA

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3150pF@15V

    连续漏极电流:24.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.2mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC060N10NS3GATMA1 起订25个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC060N10NS3GATMA1 起订25个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC060N10NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:3.5V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4900pF@50V

    连续漏极电流:14.9A€90A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@50A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPDD60R050G7XTMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPDD60R050G7XTMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPDD60R050G7XTMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:278W

    阈值电压:4V@800µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2670pF@400V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@15.9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC060N10NS3GATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC060N10NS3GATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC060N10NS3GATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:3.5V@90µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4900pF@50V

    连续漏极电流:14.9A€90A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@50A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT60R050G7XTMA1 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPT60R050G7XTMA1 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPT60R050G7XTMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:245W

    阈值电压:4V@800µA

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2670pF@400V

    连续漏极电流:44A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@15.9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4634DY-T1-E3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4634DY-T1-E3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4634DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5.7W

    阈值电压:2.6V@250µA

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3150pF@15V

    连续漏极电流:24.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.2mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC7570S 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC7570S 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":1107,"19+":21000,"21+":1300}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC7570S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€59W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4410pF@13V

    连续漏极电流:27A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@27A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R060C7ATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB60R060C7ATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB60R060C7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:162W

    阈值电压:4V@800µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2850pF@400V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@15.9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB11NK50ZT4 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STB11NK50ZT4 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB11NK50ZT4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4.5V@100µA

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1390pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:520mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPDD60R050G7XTMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPDD60R050G7XTMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPDD60R050G7XTMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:278W

    阈值电压:4V@800µA

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2670pF@400V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@15.9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC7570S 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC7570S 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":1107,"19+":21000,"21+":1300}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC7570S

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€59W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4410pF@13V

    连续漏极电流:27A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@27A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18502Q5B 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18502Q5B 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18502Q5B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€156W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5070pF@20V

    连续漏极电流:26A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC123N10LSGATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC123N10LSGATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC123N10LSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:114W

    阈值电压:2.4V@72µA

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4900pF@50V

    连续漏极电流:10.6A€71A

    类型:N沟道

    导通电阻:12.3mΩ@50A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC123N10LSGATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC123N10LSGATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC123N10LSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:114W

    阈值电压:2.4V@72µA

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4900pF@50V

    连续漏极电流:10.6A€71A

    类型:N沟道

    导通电阻:12.3mΩ@50A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17576Q5B 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17576Q5B 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17576Q5B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€125W

    阈值电压:1.8V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4430pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC123N10LSGATMA1 起订2000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC123N10LSGATMA1 起订2000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC123N10LSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:114W

    阈值电压:2.4V@72µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:68nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4900pF@50V

    连续漏极电流:10.6A€71A

    类型:N沟道

    导通电阻:12.3mΩ@50A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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