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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4634DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.7W
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3150pF@15V
连续漏极电流：24.5A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS64DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3420pF@15V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF644STRRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@8.4A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7634BDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€48W
阈值电压：2.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3150pF@15V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：5.4mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF644STRRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@8.4A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4634DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.7W
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3150pF@15V
连续漏极电流：24.5A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4634DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.7W
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3150pF@15V
连续漏极电流：24.5A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4634DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.7W
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3150pF@15V
连续漏极电流：24.5A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4634DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.7W
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3150pF@15V
连续漏极电流：24.5A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS64DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3420pF@15V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF644STRRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@8.4A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS64DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3420pF@15V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4634DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.7W
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3150pF@15V
连续漏极电流：24.5A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF644STRRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@8.4A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7634BDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€48W
阈值电压：2.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3150pF@15V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：5.4mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4634DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.7W
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3150pF@15V
连续漏极电流：24.5A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4634DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.7W
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3150pF@15V
连续漏极电流：24.5A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS64DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3420pF@15V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS64DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3420pF@15V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS64DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3420pF@15V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS64DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3420pF@15V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS64DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3420pF@15V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4634DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.7W
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3150pF@15V
连续漏极电流：24.5A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4634DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.7W
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3150pF@15V
连续漏极电流：24.5A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS64DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3420pF@15V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS64DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3420pF@15V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7634BDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€48W
阈值电压：2.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3150pF@15V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：5.4mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7634BDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€48W
阈值电压：2.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3150pF@15V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：5.4mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4634DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5.7W
阈值电压：2.6V@250µA
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3150pF@15V
连续漏极电流：24.5A
类型：N沟道
导通电阻：5.2mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7634BDP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W€48W
阈值电压：2.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3150pF@15V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：5.4mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
