采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS2085LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：353pF@15V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@3.05A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3098LDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：336pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3098LDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：336pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS2085LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：353pF@15V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@3.05A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP315PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2V@160µA
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@25V
连续漏极电流：1.17A
类型：P沟道
导通电阻：800mΩ@1.17A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP315PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2V@160µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@25V
连续漏极电流：1.17A
类型：P沟道
导通电阻：800mΩ@1.17A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3098LDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：336pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3098LDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：336pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3404-AU_R1_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：343pF@15V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@5.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2170U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：303pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP315PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2V@160µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@25V
连续漏极电流：1.17A
类型：P沟道
导通电阻：800mΩ@1.17A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS2085LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：353pF@15V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@3.05A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP315PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2V@160µA
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@25V
连续漏极电流：1.17A
类型：P沟道
导通电阻：800mΩ@1.17A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3098LDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：336pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS2085LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：353pF@15V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@3.05A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2170U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：303pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS2085LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：353pF@15V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@3.05A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP315PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2V@160µA
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@25V
连续漏极电流：1.17A
类型：P沟道
导通电阻：800mΩ@1.17A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3098LDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：336pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL4N10F7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.9W€50W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：408pF@50V
连续漏极电流：4.5A€18A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@2.25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS2085LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：353pF@15V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@3.05A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3098LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：336pF@25V
连续漏极电流：5.3A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP315PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2V@160µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@25V
连续漏极电流：1.17A
类型：P沟道
导通电阻：800mΩ@1.17A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2170U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：1.25V@250µA
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：303pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3098LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：336pF@25V
连续漏极电流：5.3A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2170U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：1.25V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：303pF@10V
连续漏极电流：3.1A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@3.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3098LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：336pF@25V
连续漏极电流：5.3A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@5.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP315PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2V@160µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@25V
连续漏极电流：1.17A
类型：P沟道
导通电阻：800mΩ@1.17A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP315PH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：2V@160µA
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：160pF@25V
连续漏极电流：1.17A
类型：P沟道
导通电阻：800mΩ@1.17A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTA05N100HV
工作温度：-55℃~150℃
功率：40W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：Tube
输入电容：260pF@25V
连续漏极电流：750mA
类型：N沟道
导通电阻：17Ω@375mA，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
