销售单位:个
规格型号(MPN):STD12N65M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:85W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:535pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:500mΩ@4A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4434ADY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.9W€6W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@125V
连续漏极电流:2.8A€4.1A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@2.8A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3036SFV-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1931pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7434ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€54.3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@125V
连续漏极电流:3.7A€12.3A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@3.7A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP322PH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1V@380µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:372pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:P沟道
导通电阻:800mΩ@1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3036SFV-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1931pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7434ADP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€54.3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@125V
连续漏极电流:3.7A€12.3A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@3.7A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF8N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:450pF@100V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:950mΩ@3A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP322PH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1V@380µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:372pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:P沟道
导通电阻:800mΩ@1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS86141
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:934pF@50V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@7A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7113ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:27.8W
阈值电压:2.6V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:515pF@50V
连续漏极电流:10.8A
类型:P沟道
导通电阻:132mΩ@3.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF11N60DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:614pF@100V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:420mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3036SFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:950mW
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1931pF@15V
连续漏极电流:8.7A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP10A16KTC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.15W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:717pF@50V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:235mΩ@2.1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3036SFV-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1931pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3036SFV-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1931pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3036SSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1931pF@15V
连续漏极电流:19.5A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3036SSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1931pF@15V
连续漏极电流:19.5A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP8N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:110W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:450pF@100V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:950mΩ@3A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF8N80K5
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:450pF@100V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:950mΩ@3A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP322PH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1V@380µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:372pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:P沟道
导通电阻:800mΩ@1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP322PH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1V@380µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:372pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:P沟道
导通电阻:800mΩ@1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4434ADY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.9W€6W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@125V
连续漏极电流:2.8A€4.1A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@2.8A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STF12N65M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:535pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:500mΩ@4A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7113ADN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:27.8W
阈值电压:2.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:515pF@50V
连续漏极电流:10.8A
类型:P沟道
导通电阻:132mΩ@3.8A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP322PH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:1V@380µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:372pF@25V
连续漏极电流:1A
类型:P沟道
导通电阻:800mΩ@1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4434ADY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.9W€6W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@125V
连续漏极电流:2.8A€4.1A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@2.8A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP10A16KTC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.15W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:717pF@50V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:235mΩ@2.1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMP10A16KTC
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.15W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:717pF@50V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:235mΩ@2.1A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3036SSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1931pF@15V
连续漏极电流:19.5A
类型:P沟道
导通电阻:20mΩ@9A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: