品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR873DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1805pF@75V
连续漏极电流:37A
类型:P沟道
导通电阻:47.5mΩ@10A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS42LDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€57W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2058pF@50V
连续漏极电流:11.3A€39A
类型:N沟道
导通电阻:14.9mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB33N25TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:235W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2135pF@25V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:94mΩ@16.5A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS42LDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€57W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2058pF@50V
连续漏极电流:11.3A€39A
类型:N沟道
导通电阻:14.9mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHD6N65E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:78W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:820pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7116BDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€62.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1915pF@20V
连续漏极电流:18.4A€65A
类型:N沟道
导通电阻:7.4mΩ@16A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STFU10NK60Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1370pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@4.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STH22N95K5-2AG
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:5V@100µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@100V
连续漏极电流:17.5A
类型:N沟道
导通电阻:330mΩ@9A,10V
漏源电压:950V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19531Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W€125W
阈值电压:3.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3870pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:6.4mΩ@16A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR873DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1805pF@75V
连续漏极电流:37A
类型:P沟道
导通电阻:47.5mΩ@10A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFHM9331TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W
阈值电压:2.4V@25µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1543pF@25V
连续漏极电流:11A€24A
类型:P沟道
导通电阻:10mΩ@11A,20V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STS5N15F4
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2710pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:N沟道
导通电阻:63mΩ@2.5A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOTF12N65
工作温度:-55℃~150℃
功率:50W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2150pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:720mΩ@6A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRLL2705TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@25V
连续漏极电流:3.8A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@3.8A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7116BDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€62.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1915pF@20V
连续漏极电流:18.4A€65A
类型:N沟道
导通电阻:7.4mΩ@16A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STFU10NK60Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1370pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@4.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR873DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:104W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1805pF@75V
连续漏极电流:37A
类型:P沟道
导通电阻:47.5mΩ@10A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP6N65E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:78W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:820pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM150P04LCS RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:12.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2783pF@20V
连续漏极电流:22A
类型:P沟道
导通电阻:15mΩ@9A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB33N25TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:235W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2135pF@25V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:94mΩ@16.5A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7116BDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€62.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1915pF@20V
连续漏极电流:18.4A€65A
类型:N沟道
导通电阻:7.4mΩ@16A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR422DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€34.7W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1785pF@20V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:6.6mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP6N65E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:78W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:820pF@100V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@3A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS42LDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€57W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2058pF@50V
连续漏极电流:11.3A€39A
类型:N沟道
导通电阻:14.9mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD19531Q5AT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.3W€125W
阈值电压:3.3V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3870pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:6.4mΩ@16A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB33N25TM
工作温度:-55℃~150℃
功率:235W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2135pF@25V
连续漏极电流:33A
类型:N沟道
导通电阻:94mΩ@16.5A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR422DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€34.7W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1785pF@20V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:6.6mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7116BDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€62.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1915pF@20V
连续漏极电流:18.4A€65A
类型:N沟道
导通电阻:7.4mΩ@16A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR422DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€34.7W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1785pF@20V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:6.6mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STFU10NK60Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:35W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1370pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@4.5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: