品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ900N20NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:62.5W
阈值电压:4V@30µA
栅极电荷:11.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@100V
连续漏极电流:15.2A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@7.6A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3025LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:605pF@15V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@7.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC900N20NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:62.5W
阈值电压:4V@30µA
栅极电荷:11.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@100V
连续漏极电流:15.2A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@7.6A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC900N20NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:62.5W
阈值电压:4V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@100V
连续漏极电流:15.2A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@7.6A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ900N20NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:62.5W
阈值电压:4V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@100V
连续漏极电流:15.2A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@7.6A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3025LFG-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:11.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:605pF@15V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@7.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC900N20NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:62.5W
阈值电压:4V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@100V
连续漏极电流:15.2A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@7.6A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3025LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:605pF@15V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@7.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC900N20NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:62.5W
阈值电压:4V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@100V
连续漏极电流:15.2A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@7.6A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ900N20NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:62.5W
阈值电压:4V@30µA
栅极电荷:11.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@100V
连续漏极电流:15.2A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@7.6A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC900N20NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:62.5W
阈值电压:4V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@100V
连续漏极电流:15.2A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@7.6A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3025LFG-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:11.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:605pF@15V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@7.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3025LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:11.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:605pF@15V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@7.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ900N20NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:62.5W
阈值电压:4V@30µA
栅极电荷:11.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@100V
连续漏极电流:15.2A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@7.6A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC900N20NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:62.5W
阈值电压:4V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@100V
连续漏极电流:15.2A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@7.6A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC900N20NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:62.5W
阈值电压:4V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@100V
连续漏极电流:15.2A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@7.6A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC900N20NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:62.5W
阈值电压:4V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@100V
连续漏极电流:15.2A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@7.6A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3025LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:11.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:605pF@15V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@7.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ900N20NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:62.5W
阈值电压:4V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@100V
连续漏极电流:15.2A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@7.6A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ900N20NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:62.5W
阈值电压:4V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@100V
连续漏极电流:15.2A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@7.6A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC900N20NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:62.5W
阈值电压:4V@30µA
栅极电荷:11.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@100V
连续漏极电流:15.2A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@7.6A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC900N20NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:62.5W
阈值电压:4V@30µA
栅极电荷:11.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@100V
连续漏极电流:15.2A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@7.6A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3025LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:11.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:605pF@15V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@7.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3025LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:11.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:605pF@15V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@7.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC900N20NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:62.5W
阈值电压:4V@30µA
栅极电荷:11.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@100V
连续漏极电流:15.2A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@7.6A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ900N20NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:62.5W
阈值电压:4V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@100V
连续漏极电流:15.2A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@7.6A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN3025LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:605pF@15V
连续漏极电流:7.5A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@7.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC900N20NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:62.5W
阈值电压:4V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@100V
连续漏极电流:15.2A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@7.6A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":2417}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC900N20NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:62.5W
阈值电压:4V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@100V
连续漏极电流:15.2A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@7.6A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC900N20NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:62.5W
阈值电压:4V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:920pF@100V
连续漏极电流:15.2A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@7.6A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存: