品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2024U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:7.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:647pF@10V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2024U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:647pF@10V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2024U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:647pF@10V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16342Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:7.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350pF@12.5V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@20A,8V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16342Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:7.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350pF@12.5V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@20A,8V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4408P_R2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€35W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:763pF@25V
连续漏极电流:10A€42A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16342Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:7.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350pF@12.5V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@20A,8V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2024U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:647pF@10V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16342Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:7.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350pF@12.5V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@20A,8V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4410P_R2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€27W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:7.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:10A€35A
类型:N沟道
导通电阻:12Ω@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16342Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:7.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350pF@12.5V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@20A,8V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4408P_R2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€35W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:763pF@25V
连续漏极电流:10A€42A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4408P_R2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€35W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:763pF@25V
连续漏极电流:10A€42A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4408P-AU_R2_000A1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€35W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:763pF@25V
连续漏极电流:10A€42A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4410P_R2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€27W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:7.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:10A€35A
类型:N沟道
导通电阻:12Ω@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16342Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:7.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350pF@12.5V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@20A,8V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2024U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:647pF@10V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4408P_R2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€35W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:763pF@25V
连续漏极电流:10A€42A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4410P_R2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€27W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:7.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:10A€35A
类型:N沟道
导通电阻:12Ω@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4408P-AU_R2_000A1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€35W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:763pF@25V
连续漏极电流:10A€42A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2024U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:647pF@10V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD16342Q5A
工作温度:-55℃~150℃
功率:3W
阈值电压:1.1V@250µA
栅极电荷:7.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1350pF@12.5V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@20A,8V
漏源电压:25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4408P_R2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€35W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:763pF@25V
连续漏极电流:10A€42A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4408P_R2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€35W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:763pF@25V
连续漏极电流:10A€42A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4408P_R2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€35W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:763pF@25V
连续漏极电流:10A€42A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2024U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:647pF@10V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2024U-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:7.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:647pF@10V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4408P-AU_R2_000A1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€35W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:763pF@25V
连续漏极电流:10A€42A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@16A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4410P_R2_00001
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€27W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:7.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:10A€35A
类型:N沟道
导通电阻:12Ω@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2024U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:7.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:647pF@10V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: