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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3440ADV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：80pF@75V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@1.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3440ADV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：80pF@75V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@1.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2308CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：105pF@30V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：144mΩ@1.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86246
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：215pF@75V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：236mΩ@2A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2308CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：105pF@30V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：144mΩ@1.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2308CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：105pF@30V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：144mΩ@1.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN80R4K5P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：6W
阈值电压：3.5V@20µA
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：80pF@500V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@400mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3440ADV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：80pF@75V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@1.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISP75DP06LMXTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W€4.2W
阈值电压：2V@77µA
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：120pF@30V
连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
导通电阻：750mΩ@1.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN80R4K5P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：6W
阈值电压：3.5V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：80pF@500V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@400mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80R4K5P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：13W
阈值电压：3.5V@200µA
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：80pF@500V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@400mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP32D5SFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@15V
连续漏极电流：400mA
类型：P沟道
导通电阻：2.4Ω@200mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86246
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：215pF@75V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：236mΩ@2A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86246
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：215pF@75V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：236mΩ@2A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD80R4K5P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：13W
阈值电压：3.5V@200µA
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：80pF@500V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@400mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86246
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：215pF@75V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：236mΩ@2A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3440ADV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.6W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：80pF@75V
连续漏极电流：2.2A
类型：N沟道
导通电阻：380mΩ@1.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2304
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.7W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：230pF@15V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：58mΩ@3.6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISP75DP06LMXTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W€4.2W
阈值电压：2V@77µA
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：120pF@30V
连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
导通电阻：750mΩ@1.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2308CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：105pF@30V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：144mΩ@1.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN80R4K5P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：6W
阈值电压：3.5V@20µA
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：80pF@500V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@400mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86265P
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@75V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@1A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISP75DP06LMXTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W€4.2W
阈值电压：2V@77µA
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：120pF@30V
连续漏极电流：1.1A
类型：P沟道
导通电阻：750mΩ@1.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP32D5SFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@15V
连续漏极电流：400mA
类型：P沟道
导通电阻：2.4Ω@200mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2308CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：105pF@30V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：144mΩ@1.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2308CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：105pF@30V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：144mΩ@1.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP32D5SFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@15V
连续漏极电流：400mA
类型：P沟道
导通电阻：2.4Ω@200mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86265P
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@75V
连续漏极电流：1A
类型：P沟道
导通电阻：1.2Ω@1A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPN80R4K5P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：6W
阈值电压：3.5V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：80pF@500V
连续漏极电流：1.5A
类型：N沟道
导通电阻：4.5Ω@400mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2308CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：105pF@30V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：144mΩ@1.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
