采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR5105PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：347mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30.3pF@25V
连续漏极电流：196mA
类型：P沟道
导通电阻：5Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR5105PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：347mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30.3pF@25V
连续漏极电流：196mA
类型：P沟道
导通电阻：5Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR5105PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：347mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30.3pF@25V
连续漏极电流：196mA
类型：P沟道
导通电阻：5Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR5105PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：347mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30.3pF@25V
连续漏极电流：196mA
类型：P沟道
导通电阻：5Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR5105PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：347mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30.3pF@25V
连续漏极电流：196mA
类型：P沟道
导通电阻：5Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR5105PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：347mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30.3pF@25V
连续漏极电流：196mA
类型：P沟道
导通电阻：5Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMH1200UPEH
工作温度：-55℃~150℃
功率：380mW€2.8W
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：33pF@15V
连续漏极电流：520mA
类型：P沟道
导通电阻：1.6Ω@410mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR5105PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：347mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30.3pF@25V
连续漏极电流：196mA
类型：P沟道
导通电阻：5Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR5105PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：347mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30.3pF@25V
连续漏极电流：196mA
类型：P沟道
导通电阻：5Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR5105PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：347mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30.3pF@25V
连续漏极电流：196mA
类型：P沟道
导通电阻：5Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR5105PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：347mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30.3pF@25V
连续漏极电流：196mA
类型：P沟道
导通电阻：5Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR5105PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：347mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30.3pF@25V
连续漏极电流：196mA
类型：P沟道
导通电阻：5Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR5105PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：347mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30.3pF@25V
连续漏极电流：196mA
类型：P沟道
导通电阻：5Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR5105PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：347mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30.3pF@25V
连续漏极电流：196mA
类型：P沟道
导通电阻：5Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMH1200UPEH
工作温度：-55℃~150℃
功率：380mW€2.8W
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：33pF@15V
连续漏极电流：520mA
类型：P沟道
导通电阻：1.6Ω@410mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMH1200UPEH
工作温度：-55℃~150℃
功率：380mW€2.8W
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：33pF@15V
连续漏极电流：520mA
类型：P沟道
导通电阻：1.6Ω@410mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR5105PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：347mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30.3pF@25V
连续漏极电流：196mA
类型：P沟道
导通电阻：5Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR5105PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：347mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30.3pF@25V
连续漏极电流：196mA
类型：P沟道
导通电阻：5Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMH1200UPEH
工作温度：-55℃~150℃
功率：380mW€2.8W
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：33pF@15V
连续漏极电流：520mA
类型：P沟道
导通电阻：1.6Ω@410mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMH1200UPEH
工作温度：-55℃~150℃
功率：380mW€2.8W
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：33pF@15V
连续漏极电流：520mA
类型：P沟道
导通电阻：1.6Ω@410mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR5105PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：347mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30.3pF@25V
连续漏极电流：196mA
类型：P沟道
导通电阻：5Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMH1200UPEH
工作温度：-55℃~150℃
功率：380mW€2.8W
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：33pF@15V
连续漏极电流：520mA
类型：P沟道
导通电阻：1.6Ω@410mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMH1200UPEH
工作温度：-55℃~150℃
功率：380mW€2.8W
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：33pF@15V
连续漏极电流：520mA
类型：P沟道
导通电阻：1.6Ω@410mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR5105PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：347mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30.3pF@25V
连续漏极电流：196mA
类型：P沟道
导通电阻：5Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMH1200UPEH
工作温度：-55℃~150℃
功率：380mW€2.8W
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：33pF@15V
连续漏极电流：520mA
类型：P沟道
导通电阻：1.6Ω@410mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：20000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMH1200UPEH
工作温度：-55℃~150℃
功率：380mW€2.8W
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：33pF@15V
连续漏极电流：520mA
类型：P沟道
导通电阻：1.6Ω@410mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR5105PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：347mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30.3pF@25V
连续漏极电流：196mA
类型：P沟道
导通电阻：5Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR5105PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：347mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30.3pF@25V
连续漏极电流：196mA
类型：P沟道
导通电阻：5Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMH1200UPEH
工作温度：-55℃~150℃
功率：380mW€2.8W
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：33pF@15V
连续漏极电流：520mA
类型：P沟道
导通电阻：1.6Ω@410mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMH1200UPEH
工作温度：-55℃~150℃
功率：380mW€2.8W
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：33pF@15V
连续漏极电流：520mA
类型：P沟道
导通电阻：1.6Ω@410mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
