采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：4000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB65N02RT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.04W€62.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@20V
连续漏极电流：7.6A
类型：N沟道
导通电阻：8.2mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：237，"08+"：950，"09+"：5350，"10+"：50911}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP65N02RG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.04W€62.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：1330pF@20V
连续漏极电流：7.6A€58A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：3401
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：9.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：3401
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：9.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：3401
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：9.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：3401
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：9.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：3401
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：9.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：3401
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：9.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：3401
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：9.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：3401
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：9.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：4000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB65N02RT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.04W€62.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@20V
连续漏极电流：7.6A
类型：N沟道
导通电阻：8.2mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：237，"08+"：950，"09+"：5350，"10+"：50911}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP65N02RG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.04W€62.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：1330pF@20V
连续漏极电流：7.6A€58A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB65N02RT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.04W€62.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：9.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@20V
连续漏极电流：7.6A
类型：N沟道
导通电阻：8.2mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：3401
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：9.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：3401
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：9.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"03+"：2642，"04+"：450，"05+"：9000，"MI+"：4300}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP65N02R
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.04W€62.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：1330pF@20V
连续漏极电流：7.6A€58A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：237，"08+"：950，"09+"：5350，"10+"：50911}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP65N02RG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.04W€62.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：1330pF@20V
连续漏极电流：7.6A€58A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP65N02RG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.04W€62.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：9.5nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：1330pF@20V
连续漏极电流：7.6A€58A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：3401
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：9.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"09+"：4000}
规格型号(MPN)：NTB65N02RT4G
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：25V
栅极电荷：9.5nC@4.5V
导通电阻：8.2mΩ@30A，10V
阈值电压：2V@250µA
输入电容：1330pF@20V
功率：1.04W€62.5W
连续漏极电流：7.6A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：3400
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@2.8A，2.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP65N02RG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.04W€62.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：9.5nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：1330pF@20V
连续漏极电流：7.6A€58A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP65N02R
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.04W€62.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：9.5nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：1330pF@20V
连续漏极电流：7.6A€58A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP65N02RG
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.04W€62.5W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：9.5nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：1330pF@20V
连续漏极电流：7.6A€58A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：3400
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@2.8A，2.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：3400
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：820pF@15V
连续漏极电流：5.6A
类型：N沟道
导通电阻：59mΩ@2.8A，2.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"03+"：2642，"04+"：450，"05+"：9000，"MI+"：4300}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP65N02R
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.04W€62.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：1330pF@20V
连续漏极电流：7.6A€58A
类型：N沟道
导通电阻：10.5mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：4000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB65N02RT4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.04W€62.5W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1330pF@20V
连续漏极电流：7.6A
类型：N沟道
导通电阻：8.2mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：3401
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：3401
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：9.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@15V
连续漏极电流：4.2A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
