品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH26N60E-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:202W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:116nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2815pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:135mΩ@13A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW60R075CPFKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:3.5V@1.7mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:116nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4000pF@100V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@26A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0260N100
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€250W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:116nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9265pF@50V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0260N100
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€250W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:116nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9265pF@50V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0260N100
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€250W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:116nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9265pF@50V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0260N100
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€250W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:116nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9265pF@50V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW60R075CPFKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:3.5V@1.7mA
栅极电荷:116nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4000pF@100V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@26A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP460HPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:329W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:116nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3208pF@100V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:270mΩ@12A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP460HPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:329W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:116nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3208pF@100V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:270mΩ@12A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0260N100
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€250W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:116nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9265pF@50V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP460HPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:329W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:116nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3208pF@100V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:270mΩ@12A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH26N60E-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:202W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:116nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2815pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:135mΩ@13A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW60R075CPFKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:3.5V@1.7mA
栅极电荷:116nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4000pF@100V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@26A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":10216,"23+":1900,"MI+":2786}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0260N100
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€250W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:116nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9265pF@50V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH26N60E-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:202W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:116nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2815pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:135mΩ@13A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0260N100
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€250W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:116nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9265pF@50V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW60R075CPFKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:3.5V@1.7mA
栅极电荷:116nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4000pF@100V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@26A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH24N65E-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:202W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:116nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2814pF@100V
连续漏极电流:23A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@12A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0260N100
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€250W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:116nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9265pF@50V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0260N100
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€250W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:116nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9265pF@50V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0260N100
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€250W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:116nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9265pF@50V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP460HPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:329W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:116nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3208pF@100V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:270mΩ@12A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH26N60E-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:202W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:116nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2815pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:135mΩ@13A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0260N100
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€250W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:116nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9265pF@50V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPW60R075CPFKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:313W
阈值电压:3.5V@1.7mA
栅极电荷:116nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4000pF@100V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@26A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0260N100
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€250W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:116nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9265pF@50V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0260N100
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.5W€250W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:116nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9265pF@50V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP460HPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:329W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:116nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3208pF@100V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:270mΩ@12A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH26N60E-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:202W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:116nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2815pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:135mΩ@13A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHH26N60E-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:202W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:116nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2815pF@100V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:135mΩ@13A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: