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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB19R0UPEX
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W€12.5W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：24nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1275pF@10V
连续漏极电流：7.6A
类型：P沟道
导通电阻：21mΩ@7.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3415AE_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：907pF@10V
连续漏极电流：4.3A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@4.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"04+"：27500，"MI+"：7500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4700NR2
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@24V
连续漏极电流：8.6A
类型：N沟道
导通电阻：7.2mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL9P3LLH6
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：24nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2615pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3415AE_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：24nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：907pF@10V
连续漏极电流：4.3A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@4.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：246714，"09+"：1277，"10+"：20000，"11+"：37500，"14+"：2934，"17+"：5000，"18+"：2219，"23+"：2050}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4807NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@24V
连续漏极电流：9.1A
类型：N沟道
导通电阻：6.1mΩ@14.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMCM6501VNEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：556mW€12.5W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@6V
连续漏极电流：7.3A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMCM6501VNEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：556mW€12.5W
阈值电压：900mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：920pF@6V
连续漏极电流：7.3A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@3A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4807NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@24V
连续漏极电流：9.1A
类型：N沟道
导通电阻：6.1mΩ@14.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4807NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@24V
连续漏极电流：9.1A
类型：N沟道
导通电阻：6.1mΩ@14.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB19R0UPEX
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W€12.5W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：24nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1275pF@10V
连续漏极电流：7.6A
类型：P沟道
导通电阻：21mΩ@7.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：246714，"09+"：1277，"10+"：20000，"11+"：37500，"14+"：2934，"17+"：5000，"18+"：2219，"23+"：2050}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4807NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@24V
连续漏极电流：9.1A
类型：N沟道
导通电阻：6.1mΩ@14.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB19R0UPEX
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W€12.5W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：24nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1275pF@10V
连续漏极电流：7.6A
类型：P沟道
导通电阻：21mΩ@7.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3415AE_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：907pF@10V
连续漏极电流：4.3A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@4.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3415AE_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：907pF@10V
连续漏极电流：4.3A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@4.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3415AE_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：24nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：907pF@10V
连续漏极电流：4.3A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@4.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3415AE_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：24nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：907pF@10V
连续漏极电流：4.3A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@4.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4807NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@24V
连续漏极电流：9.1A
类型：N沟道
导通电阻：6.1mΩ@14.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"04+"：27500，"MI+"：7500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4700NR2
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@24V
连续漏极电流：8.6A
类型：N沟道
导通电阻：7.2mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4807NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@24V
连续漏极电流：9.1A
类型：N沟道
导通电阻：6.1mΩ@14.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJA3415AE_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：907pF@10V
连续漏极电流：4.3A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@4.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS1D2N02P1E
工作温度：-55℃~150℃
功率：820mW€52W
阈值电压：2V@934µA
栅极电荷：24nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4040pF@13V
连续漏极电流：23A€180A
类型：N沟道
导通电阻：1mΩ@38A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4700NR2
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：24nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@24V
连续漏极电流：8.6A
类型：N沟道
导通电阻：7.2mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS1D2N02P1E
工作温度：-55℃~150℃
功率：820mW€52W
阈值电压：2V@934µA
栅极电荷：24nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4040pF@13V
连续漏极电流：23A€180A
类型：N沟道
导通电阻：1mΩ@38A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB19R0UPEX
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W€12.5W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：24nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1275pF@10V
连续漏极电流：7.6A
类型：P沟道
导通电阻：21mΩ@7.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB19R0UPEX
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W€12.5W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：24nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1275pF@10V
连续漏极电流：7.6A
类型：P沟道
导通电阻：21mΩ@7.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB19R0UPEX
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W€12.5W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：24nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1275pF@10V
连续漏极电流：7.6A
类型：P沟道
导通电阻：21mΩ@7.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB19R0UPEX
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W€12.5W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：24nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1275pF@10V
连续漏极电流：7.6A
类型：P沟道
导通电阻：21mΩ@7.6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4807NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@24V
连续漏极电流：9.1A
类型：N沟道
导通电阻：6.1mΩ@14.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4807NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@24V
连续漏极电流：9.1A
类型：N沟道
导通电阻：6.1mΩ@14.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
