采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN63D8L-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23.2pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：2.8Ω@250mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN63D8L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：0.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23.2pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：2.8Ω@250mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN63D8L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：0.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23.2pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：2.8Ω@250mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.8V@13µA
栅极电荷：0.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20.9pF@25V
连续漏极电流：190mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@190mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2024UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：647pF@10V
连续漏极电流：7.1A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.8V@13µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20.9pF@25V
连续漏极电流：190mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@190mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN63D8LW-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23.2pF@25V
连续漏极电流：380mA
类型：N沟道
导通电阻：2.8Ω@250mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN63D8LW-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：0.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23.2pF@25V
连续漏极电流：380mA
类型：N沟道
导通电阻：2.8Ω@250mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.8V@13µA
栅极电荷：0.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20.9pF@25V
连续漏极电流：190mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@190mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN63D8L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：0.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23.2pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：2.8Ω@250mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN63D8L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23.2pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：2.8Ω@250mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO3160E
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.39W
阈值电压：3.2V@8µA
栅极电荷：0.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9.5pF@25V
连续漏极电流：40mA
类型：N沟道
导通电阻：500Ω@16mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.8V@13µA
栅极电荷：0.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20.9pF@25V
连续漏极电流：190mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@190mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123NH6433XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.8V@13µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20.9pF@25V
连续漏极电流：190mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@190mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2024UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：647pF@10V
连续漏极电流：7.1A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123NH6433XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.8V@13µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20.9pF@25V
连续漏极电流：190mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@190mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.8V@13µA
栅极电荷：0.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20.9pF@25V
连续漏极电流：190mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@190mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.8V@13µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20.9pF@25V
连续漏极电流：190mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@190mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STN4NF20L
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.3W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：0.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@500mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.8V@13µA
栅极电荷：0.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20.9pF@25V
连续漏极电流：190mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@190mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.8V@13µA
栅极电荷：0.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20.9pF@25V
连续漏极电流：190mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@190mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.8V@13µA
栅极电荷：0.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20.9pF@25V
连续漏极电流：190mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@190mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.8V@13µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20.9pF@25V
连续漏极电流：190mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@190mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.8V@13µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20.9pF@25V
连续漏极电流：190mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@190mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN63D8LW-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：0.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23.2pF@25V
连续漏极电流：380mA
类型：N沟道
导通电阻：2.8Ω@250mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123NH6433XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.8V@13µA
栅极电荷：0.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20.9pF@25V
连续漏极电流：190mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@190mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：24000，"23+"：9000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123NH6327XTSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.8V@13µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20.9pF@25V
连续漏极电流：190mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@190mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123NH6433XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.8V@13µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20.9pF@25V
连续漏极电流：190mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@190mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS123NH6433XTMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.8V@13µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：20.9pF@25V
连续漏极电流：190mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@190mA，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN63D8L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23.2pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：2.8Ω@250mA，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
