采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS3015SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.55W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：30.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1276pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：11.9mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTT1N300P3HV
工作温度：-55℃~150℃
功率：195W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：895pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：50Ω@500mA，10V
漏源电压：3000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS3015SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.55W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：30.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1276pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：11.9mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS3015SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.55W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：30.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1276pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：11.9mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS3015SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.55W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：30.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1276pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：11.9mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS3015SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.55W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：30.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1276pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：11.9mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS3015SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.55W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：30.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1276pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：11.9mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS3015SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.55W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：30.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1276pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：11.9mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS3015SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.55W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：30.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1276pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：11.9mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS3015SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.55W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：30.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1276pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：11.9mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS3015SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.55W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：30.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1276pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：11.9mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS3015SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.55W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：30.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1276pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：11.9mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS3015SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.55W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：30.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1276pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：11.9mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS3015SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.55W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：30.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1276pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：11.9mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTT1N300P3HV
工作温度：-55℃~150℃
功率：195W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30.6nC@10V
包装方式：管件
输入电容：895pF@25V
连续漏极电流：1A
类型：N沟道
导通电阻：50Ω@500mA，10V
漏源电压：3000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS3015SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.55W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：30.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1276pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：11.9mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS3015SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.55W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：30.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1276pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：11.9mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS3015SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.55W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：30.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1276pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：11.9mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS3015SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.55W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：30.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1276pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：11.9mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS3015SSS-13
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：11A
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
导通电阻：11.9mΩ@11A，10V
输入电容：1276pF@15V
功率：1.55W
栅极电荷：30.6nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS3015SSS-13
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：11A
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
导通电阻：11.9mΩ@11A，10V
输入电容：1276pF@15V
功率：1.55W
栅极电荷：30.6nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS3015SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.55W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：30.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1276pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：11.9mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS3015SSS-13
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：11A
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
导通电阻：11.9mΩ@11A，10V
输入电容：1276pF@15V
功率：1.55W
栅极电荷：30.6nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS3015SSS-13
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：11A
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
导通电阻：11.9mΩ@11A，10V
输入电容：1276pF@15V
功率：1.55W
栅极电荷：30.6nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS3015SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.55W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：30.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1276pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：11.9mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS3015SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.55W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：30.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1276pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：11.9mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS3015SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.55W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：30.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1276pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：11.9mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS3015SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.55W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：30.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1276pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：11.9mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS3015SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.55W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：30.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1276pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：11.9mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS3015SSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.55W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：30.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1276pF@15V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：11.9mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
