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    栅极电荷: 0.35nC@4.5V
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    功率: 320mW
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    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D6UT-7 起订48个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D6UT-7 起订48个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN31D6UT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320mW

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:0.35nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:13.6pF@15V

    连续漏极电流:350mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG302PU-13 起订15个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG302PU-13 起订15个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG302PU-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:0.35nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:27.2pF@10V

    连续漏极电流:170mA

    类型:P沟道

    导通电阻:10Ω@200mA,4.5V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D6UT-13 起订5000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D6UT-13 起订5000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN31D6UT-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320mW

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:0.35nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:13.6pF@15V

    连续漏极电流:350mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG302PU-13 起订5000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG302PU-13 起订5000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG302PU-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:0.35nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:27.2pF@10V

    连续漏极电流:170mA

    类型:P沟道

    导通电阻:10Ω@200mA,4.5V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D6UT-13 起订49个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D6UT-13 起订49个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN31D6UT-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320mW

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:0.35nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:13.6pF@15V

    连续漏极电流:350mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D6UT-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D6UT-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN31D6UT-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320mW

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:0.35nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:13.6pF@15V

    连续漏极电流:350mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D6UT-7 起订1500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D6UT-7 起订1500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN31D6UT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320mW

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:0.35nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:13.6pF@15V

    连续漏极电流:350mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG302PU-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG302PU-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG302PU-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:0.35nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:27.2pF@10V

    连续漏极电流:170mA

    类型:P沟道

    导通电阻:10Ω@200mA,4.5V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG302PU-13 起订10000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG302PU-13 起订10000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG302PU-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:0.35nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:27.2pF@10V

    连续漏极电流:170mA

    类型:P沟道

    导通电阻:10Ω@200mA,4.5V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG302PU-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG302PU-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG302PU-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:0.35nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:27.2pF@10V

    连续漏极电流:170mA

    类型:P沟道

    导通电阻:10Ω@200mA,4.5V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG302PU-13 起订2500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG302PU-13 起订2500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG302PU-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:0.35nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:27.2pF@10V

    连续漏极电流:170mA

    类型:P沟道

    导通电阻:10Ω@200mA,4.5V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D6UT-13 起订43个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D6UT-13 起订43个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN31D6UT-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320mW

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:0.35nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:13.6pF@15V

    连续漏极电流:350mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D6UT-7 起订1500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D6UT-7 起订1500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN31D6UT-7

    栅极电荷:0.35nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    输入电容:13.6pF@15V

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320mW

    类型:N沟道

    阈值电压:1.4V@250µA

    导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V

    连续漏极电流:350mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D6UT-7 起订200个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D6UT-7 起订200个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN31D6UT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320mW

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:0.35nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:13.6pF@15V

    连续漏极电流:350mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG302PU-13 起订10000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG302PU-13 起订10000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG302PU-13

    栅极电荷:0.35nC@4.5V

    连续漏极电流:170mA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320mW

    漏源电压:25V

    输入电容:27.2pF@10V

    导通电阻:10Ω@200mA,4.5V

    类型:P沟道

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

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