采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB20N50E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：179W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：92nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1640pF@100V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：184mΩ@10A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTK46N50L
工作温度：-55℃~150℃
功率：700W
阈值电压：6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：260nC@15V
包装方式：散装
输入电容：7000pF@25V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@500mA，20V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB15N50E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1162pF@100V
连续漏极电流：14.5A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@7.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFD420PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：散装
输入电容：360pF@25V
连续漏极电流：370mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@220mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB15N50E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1162pF@100V
连续漏极电流：14.5A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@7.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTK46N50L
工作温度：-55℃~150℃
功率：700W
阈值电压：6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：260nC@15V
包装方式：散装
输入电容：7000pF@25V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@500mA，20V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB20N50E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：179W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：92nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1640pF@100V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：184mΩ@10A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFD420PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：散装
输入电容：360pF@25V
连续漏极电流：370mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@220mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFD420PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：散装
输入电容：360pF@25V
连续漏极电流：370mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@220mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFD420PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：散装
输入电容：360pF@25V
连续漏极电流：370mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@220mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFD420PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：散装
输入电容：360pF@25V
连续漏极电流：370mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@220mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB15N50E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1162pF@100V
连续漏极电流：14.5A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@7.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT5010JVRU2
工作温度：-55℃~150℃
功率：450W
阈值电压：4V@2.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：312nC@10V
包装方式：散装
输入电容：7410pF@25V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@22A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB20N50E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：179W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：92nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1640pF@100V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：184mΩ@10A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB15N50E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1162pF@100V
连续漏极电流：14.5A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@7.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB15N50E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1162pF@100V
连续漏极电流：14.5A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@7.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB20N50E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：179W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：92nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1640pF@100V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：184mΩ@10A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFD420PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：散装
输入电容：360pF@25V
连续漏极电流：370mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@220mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFD420PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：散装
输入电容：360pF@25V
连续漏极电流：370mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@220mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB15N50E-GE3
漏源电压：500V
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
栅极电荷：66nC@10V
类型：N沟道
连续漏极电流：14.5A
导通电阻：280mΩ@7.5A，10V
输入电容：1162pF@100V
阈值电压：4V@250µA
包装方式：散装
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFD420PBF
漏源电压：500V
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：360pF@25V
导通电阻：3Ω@220mA，10V
类型：N沟道
阈值电压：4V@250µA
功率：1W
包装方式：散装
栅极电荷：24nC@10V
连续漏极电流：370mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFD420PBF
漏源电压：500V
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：360pF@25V
导通电阻：3Ω@220mA，10V
类型：N沟道
阈值电压：4V@250µA
功率：1W
包装方式：散装
栅极电荷：24nC@10V
连续漏极电流：370mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT5010JLLU2
工作温度：-55℃~150℃
功率：378W
阈值电压：5V@2.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：散装
输入电容：4360pF@25V
连续漏极电流：41A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@23A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT5010JVRU2
工作温度：-55℃~150℃
功率：450W
阈值电压：4V@2.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：312nC@10V
包装方式：散装
输入电容：7410pF@25V
连续漏极电流：44A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@22A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB15N50E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1162pF@100V
连续漏极电流：14.5A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@7.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT5010JLLU2
工作温度：-55℃~150℃
功率：378W
阈值电压：5V@2.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：散装
输入电容：4360pF@25V
连续漏极电流：41A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@23A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHB15N50E-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1162pF@100V
连续漏极电流：14.5A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@7.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFD420PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：散装
输入电容：360pF@25V
连续漏极电流：370mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@220mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
