首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    UMW Mosfet场效应管 AO3400A 起订28个装
    UMW Mosfet场效应管 AO3400A 起订28个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3400A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1050pF@15V

    连续漏极电流:5.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@5.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 AO3400A
    UMW Mosfet场效应管 AO3400A

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3400A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1050pF@15V

    连续漏极电流:5.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@5.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:450
    UMW Mosfet场效应管 AO3400A
    UMW Mosfet场效应管 AO3400A

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3400A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1050pF@15V

    连续漏极电流:5.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@5.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1050
    UMW Mosfet场效应管 AO3400A
    UMW Mosfet场效应管 AO3400A

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3400A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1050pF@15V

    连续漏极电流:5.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@5.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:88
    UMW Mosfet场效应管 AO3400A
    UMW Mosfet场效应管 AO3400A

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3400A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1050pF@15V

    连续漏极电流:5.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@5.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:119
    UMW Mosfet场效应管 AO3400A
    UMW Mosfet场效应管 AO3400A

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3400A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1050pF@15V

    连续漏极电流:5.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@5.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:183
    UMW Mosfet场效应管 AO3400A
    UMW Mosfet场效应管 AO3400A

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3400A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1050pF@15V

    连续漏极电流:5.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@5.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:142
    UMW Mosfet场效应管 AO3400A
    UMW Mosfet场效应管 AO3400A

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3400A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1050pF@15V

    连续漏极电流:5.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@5.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:170
    UMW Mosfet场效应管 AO3400A
    UMW Mosfet场效应管 AO3400A

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3400A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1050pF@15V

    连续漏极电流:5.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@5.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    UMW Mosfet场效应管 AO3400A
    UMW Mosfet场效应管 AO3400A

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3400A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1050pF@15V

    连续漏极电流:5.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@5.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:187
    UMW Mosfet场效应管 AO3400A
    UMW Mosfet场效应管 AO3400A

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3400A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1050pF@15V

    连续漏极电流:5.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@5.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
    UMW Mosfet场效应管 AO3400A
    UMW Mosfet场效应管 AO3400A

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3400A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1050pF@15V

    连续漏极电流:5.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@5.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    UMW Mosfet场效应管 AO3400A 起订200个装
    UMW Mosfet场效应管 AO3400A 起订200个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO3400A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1050pF@15V

    连续漏极电流:5.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@5.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB406EDK-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIB406EDK-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIB406EDK-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.95W€10W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:46mΩ@3.9A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1416EDH-T1-BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1416EDH-T1-BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1416EDH-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.56W€2.8W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.9A€3.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:58mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3130NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3130NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGS3130NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:935pF@16V

    连续漏极电流:4.23A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@5.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    TI Mosfet场效应管 CSD16327Q3T
    TI Mosfet场效应管 CSD16327Q3T

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16327Q3T

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:74W

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:8.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@12.5V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@24A,8V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:250
    MCC Mosfet场效应管 SI3402-TP
    MCC Mosfet场效应管 SI3402-TP

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3402-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:4.34nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:390pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:55mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:55
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA440DJ-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA440DJ-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA440DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€19W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@20V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:26mΩ@9A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3053L-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3053L-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3053L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:760mW

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:17.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:676pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:31
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2046U-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2046U-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2046U-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:760mW

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:3.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:292pF@10V

    连续漏极电流:3.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:72mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:46
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4170NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4170NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR4170NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:480mW

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:4.76nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:432pF@15V

    连续漏极电流:2.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:55mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:17
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3402L-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMG3402L-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG3402L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:11.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:464pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@4A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    加购:3000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1416EDH-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1416EDH-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1416EDH-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.8W

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:58mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA440DJ-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA440DJ-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA440DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€19W

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:21.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@20V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:26mΩ@9A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA440DJ-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA440DJ-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA440DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€19W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@20V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:26mΩ@9A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D6UT-7 起订47个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN31D6UT-7 起订47个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN31D6UT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320mW

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:0.35nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:13.6pF@15V

    连续漏极电流:350mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA456DJ-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA456DJ-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA456DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€19W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:350pF@100V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.38Ω@750mA,4.5V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    TI Mosfet场效应管 CSD16321Q5
    TI Mosfet场效应管 CSD16321Q5

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16321Q5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3100pF@12.5V

    连续漏极电流:31A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@25A,8V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4003NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4003NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR4003NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:690mW

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:1.15nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:21pF@5V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@10mA,4V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:46
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧