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    工作温度: -55℃~150℃
    包装方式: 卷带(TR)
    行业应用: 汽车
    类型: N沟道
    功率: 310mW
    当前匹配商品:100+
    商品信息
    参数
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    onsemi Mosfet场效应管 NTK3043NT5G
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3043NT5G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTK3043NT5G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11pF@10V

    连续漏极电流:210mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4Ω@10mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:11
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3134NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3134NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTK3134NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:120pF@16V

    连续漏极电流:750mA

    类型:N沟道

    导通电阻:350mΩ@890mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:11
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D1LW-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN63D1LW-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN63D1LW-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:0.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30pF@25V

    连续漏极电流:380mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:83
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKVL
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX7002BKVL

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":126150}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX7002BKVL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:23.6pF@10V

    连续漏极电流:270mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:15823
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3043NT1G 起订101个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3043NT1G 起订101个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTK3043NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11pF@10V

    连续漏极电流:210mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4Ω@10mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:101
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3043NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3043NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":24000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTK3043NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11pF@10V

    连续漏极电流:210mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4Ω@10mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:7962
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3043NT5G
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3043NT5G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTK3043NT5G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11pF@10V

    连续漏极电流:210mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4Ω@10mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX138BKR
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX138BKR

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX138BKR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:0.49nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20.2pF@30V

    连续漏极电流:265mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:58
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002HWX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002HWX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002HWX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:0.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:34pF@10V

    连续漏极电流:310mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    加购:5
    DIODES Mosfet场效应管 DMN30H4D0L-7 起订13个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN30H4D0L-7 起订13个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN30H4D0L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:7.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:187.3pF@25V

    连续漏极电流:250mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@300mA,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN30H4D0L-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN30H4D0L-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN30H4D0L-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:187.3pF@25V

    连续漏极电流:250mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@300mA,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3134NT1G 起订25个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3134NT1G 起订25个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTK3134NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:120pF@16V

    连续漏极电流:750mA

    类型:N沟道

    导通电阻:350mΩ@890mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:25
    DIODES Mosfet场效应管 DMN30H4D0L-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN30H4D0L-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN30H4D0L-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:187.3pF@25V

    连续漏极电流:250mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@300mA,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3043NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3043NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTK3043NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11pF@10V

    连续漏极电流:210mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4Ω@10mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4000
    加购:4000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN30H4D0L-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN30H4D0L-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN30H4D0L-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:187.3pF@25V

    连续漏极电流:250mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@300mA,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 DMN30H4D0L-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN30H4D0L-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN30H4D0L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:7.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:187.3pF@25V

    连续漏极电流:250mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@300mA,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSN20BKR
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSN20BKR

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSN20BKR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:0.49nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20.2pF@30V

    连续漏极电流:265mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:121
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3043NT5G
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3043NT5G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTK3043NT5G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11pF@10V

    连续漏极电流:210mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4Ω@10mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMN30H4D0L-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN30H4D0L-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN30H4D0L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:7.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:187.3pF@25V

    连续漏极电流:250mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@300mA,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:12000
    加购:3000
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3043NT5G
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3043NT5G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTK3043NT5G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11pF@10V

    连续漏极电流:210mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4Ω@10mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3043NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3043NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTK3043NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11pF@10V

    连续漏极电流:210mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4Ω@10mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3043NT5G
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3043NT5G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTK3043NT5G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11pF@10V

    连续漏极电流:210mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4Ω@10mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSN20BKR 起订600个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSN20BKR 起订600个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSN20BKR

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:1.4V@250µA

    栅极电荷:0.49nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:20.2pF@30V

    连续漏极电流:265mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:600
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3043NT1G 起订2000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3043NT1G 起订2000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTK3043NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11pF@10V

    连续漏极电流:210mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4Ω@10mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3043NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3043NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTK3043NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11pF@10V

    连续漏极电流:210mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4Ω@10mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3043NT5G
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3043NT5G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTK3043NT5G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11pF@10V

    连续漏极电流:210mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4Ω@10mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3134NT1G 起订2000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3134NT1G 起订2000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTK3134NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:120pF@16V

    连续漏极电流:750mA

    类型:N沟道

    导通电阻:350mΩ@890mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN30H4D0L-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN30H4D0L-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN30H4D0L-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:187.3pF@25V

    连续漏极电流:250mA

    类型:N沟道

    导通电阻:4Ω@300mA,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3043NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTK3043NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTK3043NT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:1.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11pF@10V

    连续漏极电流:210mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4Ω@10mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002HWX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002HWX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002HWX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:0.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:34pF@10V

    连续漏极电流:310mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    加购:5
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