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    工作温度: -55℃~150℃
    包装方式: 卷带(TR)
    行业应用: 汽车
    功率: 480mW
    类型: P沟道
    当前匹配商品:90+
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    onsemi Mosfet场效应管 NTR3A30PZT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTR3A30PZT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR3A30PZT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:480mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:17.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1651pF@15V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:38mΩ@3A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1200UFR4-7 起订21个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1200UFR4-7 起订21个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP1200UFR4-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:480mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:5.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:514pF@5V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV65XP,215
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV65XP,215

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV65XP,215

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:480mW

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:7.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:744pF@20V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:74mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:90
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV65XP,215
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV65XP,215

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV65XP,215

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:480mW

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:7.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:744pF@20V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:74mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:300
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV65XP,215 起订3000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV65XP,215 起订3000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV65XP,215

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:480mW

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:7.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:744pF@20V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:74mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH205G2R 起订31个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH205G2R 起订31个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSH205G2R

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:480mW

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:6.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:418pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:170mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV65XP,215
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV65XP,215

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV65XP,215

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:480mW

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:7.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:744pF@20V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:74mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:101
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV65XP,215
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV65XP,215

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV65XP,215

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:480mW

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:7.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:744pF@20V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:74mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    加购:5
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH205G2R
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH205G2R

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSH205G2R

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:480mW

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:6.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:418pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:170mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH205G2R
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH205G2R

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSH205G2R

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:480mW

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:6.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:418pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:170mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:12
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4171PT1G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4171PT1G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR4171PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:480mW

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:720pF@15V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:75mΩ@2.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH205G2R
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH205G2R

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSH205G2R

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:480mW

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:418pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:170mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4171PT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTR4171PT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTR4171PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:480mW

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:720pF@15V

    连续漏极电流:2.2A

    类型:P沟道

    导通电阻:75mΩ@2.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV65XPVL
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV65XPVL

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV65XPVL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:480mW

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.7nC@4V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:744pF@20V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:74mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV65XP,215
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV65XP,215

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV65XP,215

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:480mW

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:744pF@20V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:74mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH205G2R
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH205G2R

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSH205G2R

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:480mW

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:418pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:170mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV65XP,215
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV65XP,215

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV65XP,215

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:480mW

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:744pF@20V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:74mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV65XPVL 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV65XPVL 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV65XPVL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:480mW

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.7nC@4V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:744pF@20V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:74mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH205G2R
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH205G2R

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSH205G2R

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:480mW

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:6.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:418pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:170mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    加购:5
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH205G2R
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH205G2R

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSH205G2R

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:480mW

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:6.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:418pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:170mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    加购:5
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH205G2R
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH205G2R

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:24+

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSH205G2R

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:480mW

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:6.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:418pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:170mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:200
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH205G2R
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH205G2R

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:24+

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSH205G2R

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:480mW

    阈值电压:950mV@250µA

    栅极电荷:6.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:418pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:170mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV65XP,215 起订1500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV65XP,215 起订1500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV65XP,215

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:480mW

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:7.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:744pF@20V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:74mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1500
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1200UFR4-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1200UFR4-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP1200UFR4-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:480mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:5.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:514pF@5V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    加购:5
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV65XP,215
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV65XP,215

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV65XP,215

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:480mW

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:744pF@20V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:74mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH205G2R
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH205G2R

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSH205G2R

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:480mW

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:418pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:170mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV65XP,215
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV65XP,215

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV65XP,215

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:480mW

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:744pF@20V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:74mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:21000
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1200UFR4-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMP1200UFR4-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP1200UFR4-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:480mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:5.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:514pF@5V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    加购:5
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV65XP,215
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV65XP,215

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV65XP,215

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:480mW

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:7.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:744pF@20V

    连续漏极电流:2.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:74mΩ@2.8A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH205G2R
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSH205G2R

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSH205G2R

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:480mW

    阈值电压:950mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:418pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:170mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:6000
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