品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":2000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT60R102G7XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:141W
阈值电压:4V@390µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1320pF@400V
连续漏极电流:23A
类型:N沟道
导通电阻:102mΩ@7.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2009USS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.2V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1706pF@10V
连续漏极电流:12.1A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@12A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT8012LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.2W€30W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1949pF@40V
连续漏极电流:9.5A€35A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@12A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2009USS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1706pF@10V
连续漏极电流:12.1A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@12A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT8012LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1949pF@40V
连续漏极电流:9.7A
类型:N沟道
导通电阻:16.5mΩ@12A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT8012LSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1949pF@40V
连续漏极电流:9.7A
类型:N沟道
导通电阻:16.5mΩ@12A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSP21321
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1180pF@15V
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
导通电阻:17mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2009USS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:1.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1706pF@10V
连续漏极电流:12.1A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@12A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STB26N60M2
工作温度:-55℃~150℃
功率:169W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1360pF@100V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:165mΩ@10A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT8012LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.2W€30W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1949pF@40V
连续漏极电流:9.5A€35A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@12A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ039N06NSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€69W
阈值电压:3.3V@36µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@30V
连续漏极电流:18A€40A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC196N10NSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:78W
阈值电压:4V@42µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2300pF@50V
连续漏极电流:8.5A€45A
类型:N沟道
导通电阻:19.6mΩ@45A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSP21321
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1180pF@15V
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
导通电阻:17mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AONR21321
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.1W€24W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1180pF@15V
连续漏极电流:24A
类型:P沟道
导通电阻:16.5mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC196N10NSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:78W
阈值电压:4V@42µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2300pF@50V
连续漏极电流:8.5A€45A
类型:N沟道
导通电阻:19.6mΩ@45A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NVB190N65S3F
工作温度:-55℃~150℃
功率:162W
阈值电压:5V@430µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1605pF@400V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@10A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT8012LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.2W€30W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1949pF@40V
连续漏极电流:9.5A€35A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@12A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AONR21321
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.1W€24W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1180pF@15V
连续漏极电流:24A
类型:P沟道
导通电阻:16.5mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPDD60R102G7XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:139W
阈值电压:4V@390µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1320pF@400V
连续漏极电流:23A
类型:N沟道
导通电阻:102mΩ@7.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC190N12NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:4V@42µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2300pF@60V
连续漏极电流:8.6A€44A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@39A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT8012LFG-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.2W€30W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1949pF@40V
连续漏极电流:9.5A€35A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@12A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC196N10NSGATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:78W
阈值电压:4V@42µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2300pF@50V
连续漏极电流:8.5A€45A
类型:N沟道
导通电阻:19.6mΩ@45A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC190N12NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:4V@42µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2300pF@60V
连续漏极电流:8.6A€44A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@39A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC190N12NS3GATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:69W
阈值电压:4V@42µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2300pF@60V
连续漏极电流:8.6A€44A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@39A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSP21321
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1180pF@15V
连续漏极电流:11A
类型:P沟道
导通电阻:17mΩ@11A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AONS21321
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€24.5W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1180pF@15V
连续漏极电流:14A€24A
类型:P沟道
导通电阻:16.5mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ039N06NSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€69W
阈值电压:3.3V@36µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@30V
连续漏极电流:18A€40A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":18000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC8678S
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€41W
阈值电压:3V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2075pF@15V
连续漏极电流:15A€18A
类型:N沟道
导通电阻:5.2mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSZ039N06NSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.1W€69W
阈值电压:3.3V@36µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@30V
连续漏极电流:18A€40A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPDD60R102G7XTMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:139W
阈值电压:4V@390µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1320pF@400V
连续漏极电流:23A
类型:N沟道
导通电阻:102mΩ@7.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: