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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD95R750P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：73W
阈值电压：3.5V@220µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：712pF@400V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@4.5A，10V
漏源电压：950V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD95R750P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：73W
阈值电压：3.5V@220µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：712pF@400V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@4.5A，10V
漏源电压：950V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD95R750P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：73W
阈值电压：3.5V@220µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：712pF@400V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@4.5A，10V
漏源电压：950V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：IPD95R750P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：73W
阈值电压：3.5V@220µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：712pF@400V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@4.5A，10V
漏源电压：950V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD95R750P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：73W
阈值电压：3.5V@220µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：712pF@400V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@4.5A，10V
漏源电压：950V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD95R750P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：73W
阈值电压：3.5V@220µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：712pF@400V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@4.5A，10V
漏源电压：950V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD95R750P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：73W
阈值电压：3.5V@220µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：712pF@400V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@4.5A，10V
漏源电压：950V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD95R750P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：73W
阈值电压：3.5V@220µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：712pF@400V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@4.5A，10V
漏源电压：950V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD95R750P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：73W
阈值电压：3.5V@220µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：712pF@400V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@4.5A，10V
漏源电压：950V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD95R750P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：73W
阈值电压：3.5V@220µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：712pF@400V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@4.5A，10V
漏源电压：950V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD95R750P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：73W
阈值电压：3.5V@220µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：712pF@400V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@4.5A，10V
漏源电压：950V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD95R750P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：73W
阈值电压：3.5V@220µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：712pF@400V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@4.5A，10V
漏源电压：950V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD95R750P7ATMA1
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：73W
输入电容：712pF@400V
阈值电压：3.5V@220µA
类型：N沟道
漏源电压：950V
栅极电荷：23nC@10V
导通电阻：750mΩ@4.5A，10V
连续漏极电流：9A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：370，"19+"：0}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD12N20TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€55W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：910pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@4.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD95R750P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：73W
阈值电压：3.5V@220µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：712pF@400V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@4.5A，10V
漏源电压：950V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD12N20TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€55W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：910pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@4.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50R399CPATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：3.5V@330µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：890pF@100V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：399mΩ@4.9A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD95R750P7ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：73W
阈值电压：3.5V@220µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：712pF@400V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@4.5A，10V
漏源电压：950V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD12N20TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€55W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：910pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@4.5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD95R750P7ATMA1
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
功率：73W
输入电容：712pF@400V
阈值电压：3.5V@220µA
类型：N沟道
漏源电压：950V
栅极电荷：23nC@10V
导通电阻：750mΩ@4.5A，10V
连续漏极电流：9A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD12N20TM
输入电容：910pF@25V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：5V@250µA
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@4.5A，10V
栅极电荷：23nC@10V
功率：2.5W€55W
连续漏极电流：9A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD12N20TM
输入电容：910pF@25V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：5V@250µA
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@4.5A，10V
栅极电荷：23nC@10V
功率：2.5W€55W
连续漏极电流：9A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
