品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":5468,"21+":66398}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTND31015NZTAG
工作温度:-55℃~150℃
功率:125mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12.3pF@15V
连续漏极电流:200mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA1028NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:340pF@10V
连续漏极电流:3.7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:68mΩ@3.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":54000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSL207NH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.2V@11µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:419pF@10V
连续漏极电流:2.1A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:70mΩ@2.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG6898LSDQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.28W
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1149pF@10V
连续漏极电流:9.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:16mΩ@9.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG1024UV-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:530mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:60.67pF@16V
连续漏极电流:1.38A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:450mΩ@600mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1902CDL-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW€420mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:62pF@10V
连续漏极电流:1A€1.1A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:235mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA1024NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@10V
连续漏极电流:5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:54mΩ@5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA938DJT-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W€7.8W
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:425pF@10V
连续漏极电流:4.5A€4.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:21.5mΩ@5A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2029USD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1171pF@10V
连续漏极电流:5.8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDG6335N
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:113pF@10V
连续漏极电流:700mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:300mΩ@700mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":173000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSL214NL6327HTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1.2V@3.7µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:143pF@10V
连续漏极电流:1.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:140mΩ@1.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMDPB30XNZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:490mW€8.33W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:40mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMGD290XN,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:410mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:34pF@20V
连续漏极电流:860mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:350mΩ@200mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5908DC-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:40mΩ@4.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMA1028NZ-F021
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:340pF@10V
连续漏极电流:3.7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:68mΩ@3.7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMDPB30XNZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:490mW€8.33W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@10V
连续漏极电流:4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:40mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTZD3154NT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@16V
连续漏极电流:540mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:550mΩ@540mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2014LHAB-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:1.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1550pF@10V
连续漏极电流:9A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:13mΩ@4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS6890A
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2130pF@10V
连续漏极电流:7.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:18mΩ@7.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1902CDL-T1-BE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:300mW€420mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:62pF@10V
连续漏极电流:1A€1.1A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:235mΩ@1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI5908DC-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:40mΩ@4.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDC6401N
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:324pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:70mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3900DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:830mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:125mΩ@2.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF8910TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.55V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:960pF@10V
连续漏极电流:10A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:13.4mΩ@10A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMDT290UNE,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:950mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:83pF@10V
连续漏极电流:800mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:380mΩ@500mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2300UFL4-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.39W
阈值电压:950mV@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:128.6pF@25V
连续漏极电流:2.11A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:195mΩ@300mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDME1024NZT
工作温度:-55℃~150℃
功率:600mW
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:300pF@10V
连续漏极电流:3.8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:66mΩ@3.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMGD290XN,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:410mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:34pF@20V
连续漏极电流:860mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:350mΩ@200mA,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF8915TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@10V
连续漏极电流:8.9A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:18.3mΩ@8.9A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA906EDJ-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:7.8W
阈值电压:1.4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:46mΩ@3.9A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: