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    包装方式: 卷带(TR)
    行业应用: 工业
    漏源电压: 30V
    栅极电荷: 84nC@10V
    当前匹配商品:40+
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    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7660 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7660 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS7660

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€78W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:84nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5565pF@15V

    连续漏极电流:25A€42A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7660
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7660

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS7660

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€78W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:84nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5565pF@15V

    连续漏极电流:25A€42A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA01DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA01DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA01DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:84nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3490pF@15V

    连续漏极电流:22.4A€60A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4982NFT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4982NFT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4982NFT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:84nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6000pF@15V

    连续漏极电流:26.5A€207A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.3mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA01DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA01DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA01DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:84nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3490pF@15V

    连续漏极电流:22.4A€60A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7660
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7660

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS7660

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€78W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:84nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5565pF@15V

    连续漏极电流:25A€42A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA01DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA01DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA01DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:84nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3490pF@15V

    连续漏极电流:22.4A€60A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4459BDY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4459BDY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4459BDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€5.6W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:84nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3490pF@15V

    连续漏极电流:20.5A€27.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:7500
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7660
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7660

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS7660

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€78W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:84nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5565pF@15V

    连续漏极电流:25A€42A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA01DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA01DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA01DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:84nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3490pF@15V

    连续漏极电流:22.4A€60A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA01DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA01DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA01DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:84nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3490pF@15V

    连续漏极电流:22.4A€60A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1500
    加购:5
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4982NFT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4982NFT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4982NFT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:84nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6000pF@15V

    连续漏极电流:26.5A€207A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.3mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA01DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA01DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA01DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:84nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3490pF@15V

    连续漏极电流:22.4A€60A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7660
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7660

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS7660

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€78W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:84nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5565pF@15V

    连续漏极电流:25A€42A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7660
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7660

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS7660

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€78W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:84nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5565pF@15V

    连续漏极电流:25A€42A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7660
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7660

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS7660

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€78W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:84nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5565pF@15V

    连续漏极电流:25A€42A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4982NFT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS4982NFT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS4982NFT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2.2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:84nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6000pF@15V

    连续漏极电流:26.5A€207A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.3mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:463
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7660
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7660

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS7660

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€78W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:84nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5565pF@15V

    连续漏极电流:25A€42A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA01DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA01DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA01DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:84nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3490pF@15V

    连续漏极电流:22.4A€60A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    加购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA01DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA01DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA01DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:84nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3490pF@15V

    连续漏极电流:22.4A€60A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    加购:5
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7660
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7660

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS7660

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€78W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:84nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5565pF@15V

    连续漏极电流:25A€42A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA01DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA01DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA01DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:84nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3490pF@15V

    连续漏极电流:22.4A€60A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    加购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA01DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA01DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA01DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:84nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3490pF@15V

    连续漏极电流:22.4A€60A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4459BDY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4459BDY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4459BDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€5.6W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:84nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3490pF@15V

    连续漏极电流:20.5A€27.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA01DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA01DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA01DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:84nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3490pF@15V

    连续漏极电流:22.4A€60A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7660
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7660

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS7660

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€78W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:84nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5565pF@15V

    连续漏极电流:25A€42A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4459BDY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4459BDY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4459BDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€5.6W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:84nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3490pF@15V

    连续漏极电流:20.5A€27.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4459BDY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4459BDY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4459BDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€5.6W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:84nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3490pF@15V

    连续漏极电流:20.5A€27.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA01DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SISA01DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISA01DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:84nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3490pF@15V

    连续漏极电流:22.4A€60A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4459BDY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4459BDY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4459BDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€5.6W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:84nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3490pF@15V

    连续漏极电流:20.5A€27.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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