品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL56N3LLH5
工作温度:-55℃~150℃
功率:62.5W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@25V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@7.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA04DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:62.5W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:40A
导通电阻:1.8mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA04DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:62.5W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:40A
导通电阻:1.8mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA04DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:62.5W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:40A
导通电阻:1.8mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL56N3LLH5
工作温度:-55℃~150℃
功率:62.5W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:950pF@25V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@7.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA04DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:62.5W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:40A
导通电阻:1.8mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA04DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:62.5W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:40A
导通电阻:1.8mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA04DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:62.5W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:40A
导通电阻:1.8mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA04DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:62.5W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:40A
导通电阻:1.8mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:两年外
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA04DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:62.5W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:40A
导通电阻:1.8mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:两年外
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA04DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:62.5W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:40A
导通电阻:1.8mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:两年外
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA04DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:62.5W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:40A
导通电阻:1.8mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA04DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:62.5W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:40A
导通电阻:1.8mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA04DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:62.5W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:40A
导通电阻:1.8mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:两年外
规格型号(MPN):SIRA04DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
功率:62.5W
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:40A
导通电阻:1.8mΩ
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA04DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
功率:62.5W
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:40A
导通电阻:1.8mΩ
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIRA04DP-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
功率:62.5W
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:40A
导通电阻:1.8mΩ
包装清单:商品主体 * 1
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