采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7850DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@10.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7850DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@10.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7850DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@10.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7850DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@10.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4421
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@30V
连续漏极电流：6.2A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@6.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4421
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@30V
连续漏极电流：6.2A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@6.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7241TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3220pF@25V
连续漏极电流：6.2A
类型：P沟道
导通电阻：41mΩ@6.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7850DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@10.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4421
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@30V
连续漏极电流：6.2A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@6.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7241TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3220pF@25V
连续漏极电流：6.2A
类型：P沟道
导通电阻：41mΩ@6.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7850DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@10.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7241TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3220pF@25V
连续漏极电流：6.2A
类型：P沟道
导通电阻：41mΩ@6.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7241TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3220pF@25V
连续漏极电流：6.2A
类型：P沟道
导通电阻：41mΩ@6.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7850DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@10.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7850DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@10.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7241TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3220pF@25V
连续漏极电流：6.2A
类型：P沟道
导通电阻：41mΩ@6.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7850DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@10.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7850DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@10.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7850DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@10.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7850DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@10.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4421
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@30V
连续漏极电流：6.2A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@6.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7850DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@10.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7241TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3220pF@25V
连续漏极电流：6.2A
类型：P沟道
导通电阻：41mΩ@6.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7241TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3220pF@25V
连续漏极电流：6.2A
类型：P沟道
导通电阻：41mΩ@6.2A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7850DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@10.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7850DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@10.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7850DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@10.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4421
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2900pF@30V
连续漏极电流：6.2A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@6.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7850DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@10.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7850DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@10.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
