采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBC40STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€130W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@3.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBC40STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€130W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@3.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7850DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@10.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7850DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@10.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7850DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@10.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN25EN，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：540mW€6.25W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：492pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@6.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC637BNZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.5V@250µA
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：895pF@10V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@6.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSS32334C
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@6.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC637BNZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：895pF@10V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@6.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC637BNZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：895pF@10V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@6.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC637BNZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：895pF@10V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@6.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3860
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€69W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1740pF@50V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@5.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2028UVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：856pF@10V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@6.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3023L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1.8V@250µA
栅极电荷：18.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：873pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3023L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1.8V@250µA
栅极电荷：18.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：873pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSS32334C
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@6.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7850DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@10.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3860
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€69W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1740pF@50V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@5.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2028UVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：856pF@10V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@6.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7850DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@10.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC637AN
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1125pF@10V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@6.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3023L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：873pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC637AN
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1125pF@10V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：24mΩ@6.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3023L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1.8V@250µA
栅极电荷：18.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：873pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3023L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：873pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFBC40STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€130W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：60nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：1.2Ω@3.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOSS32334C
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@15V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@6.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7850DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@10.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3860
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€69W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1740pF@50V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@5.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD3860
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€69W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1740pF@50V
连续漏极电流：6.2A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@5.9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
