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    工作温度: -55℃~150℃
    包装方式: 卷带(TR)
    行业应用: 工业
    类型: P沟道
    连续漏极电流: 12A
    当前匹配商品:600+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
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    操作
    UMW Mosfet场效应管 AO4435 起订3个装
    UMW Mosfet场效应管 AO4435 起订3个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4435

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1690pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA447DJ-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA447DJ-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA447DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:19W

    阈值电压:850mV@250µA

    栅极电荷:80nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2880pF@6V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:13.5mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD17P06TM 起订7个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD17P06TM 起订7个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD17P06TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€44W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:900pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:135mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA469DJ-T1-GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA469DJ-T1-GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA469DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:15.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1020pF@15V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:26.5mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSO201SPHXUMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSO201SPHXUMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSO201SPHXUMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:88nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9600pF@15V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:8mΩ@14.9A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA441DJ-T1-GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA441DJ-T1-GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA441DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:19W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:35nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:890pF@20V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:47mΩ@4.4A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA477EDJ-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA477EDJ-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA477EDJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:87nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2970pF@6V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:14mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA445EDJT-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA445EDJT-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA445EDJT-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:19W

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:69nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2180pF@10V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:16.7mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO4407AL 起订12个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4407AL 起订12个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4407AL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2600pF@15V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:11mΩ@12A,20V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA449DJ-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA449DJ-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA449DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€19W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2140pF@15V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA008P20LZ 起订1271个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA008P20LZ 起订1271个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":33000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA008P20LZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:1.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:39nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4383pF@10V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:13mΩ@2.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA433EDJ-T1-GE3 起订7个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA433EDJ-T1-GE3 起订7个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA433EDJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€19W

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:75nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@7.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA427DJ-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA427DJ-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA427DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€19W

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2300pF@4V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:16mΩ@8.2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA477EDJ-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA477EDJ-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA477EDJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:87nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2970pF@6V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:14mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA469DJ-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA469DJ-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA469DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:15.6W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1020pF@15V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:26.5mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA413DJ-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA413DJ-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA413DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€19W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:57nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@10V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:29mΩ@6.7A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA469DJ-T1-GE3 起订8个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA469DJ-T1-GE3 起订8个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA469DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:15.6W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1020pF@15V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:26.5mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA413DJ-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA413DJ-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA413DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€19W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:57nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@10V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:29mΩ@6.7A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    UMW Mosfet场效应管 AO4435 起订3个装
    UMW Mosfet场效应管 AO4435 起订3个装

    品牌:UMW

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4435

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1690pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AO4407A 起订14个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4407A 起订14个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4407A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:39nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2600pF@15V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:11mΩ@12A,20V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD17P06TM 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQD17P06TM 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD17P06TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€44W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:900pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:135mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA461DJ-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA461DJ-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA461DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.4W€17.9W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:45nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@10V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:33mΩ@5.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3020LSS-13 起订8个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3020LSS-13 起订8个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3020LSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:30.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1802pF@15V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:14mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA431DJ-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA431DJ-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA431DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€19W

    阈值电压:850mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1700pF@10V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA461DJ-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA461DJ-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA461DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.4W€17.9W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:45nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@10V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:33mΩ@5.2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA445EDJ-T1-GE3 起订9个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA445EDJ-T1-GE3 起订9个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA445EDJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€19W

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2130pF@10V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:16.5mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIA447DJ-T1-GE3 起订7个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA447DJ-T1-GE3 起订7个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA447DJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:19W

    阈值电压:850mV@250µA

    栅极电荷:80nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2880pF@6V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:13.5mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5419DU-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5419DU-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5419DU-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€31W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@15V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@6.6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA445EDJ-T1-GE3 起订30个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIA445EDJ-T1-GE3 起订30个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIA445EDJ-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€19W

    阈值电压:1.2V@250µA

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2130pF@10V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:16.5mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA908PZ 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA908PZ 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA908PZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:34nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3957pF@6V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:12.5mΩ@12A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

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