采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86181
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4125pF@50V
连续漏极电流：44A€124A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC018N04LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€125W
阈值电压：2V@85µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12000pF@20V
连续漏极电流：30A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC0802NLSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€125W
阈值电压：2.3V@92µA
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5190pF@50V
连续漏极电流：22A€150A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC047N08NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€125W
阈值电压：3.5V@90µA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@40V
连续漏极电流：18A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.7mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC042NE7NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€125W
阈值电压：3.8V@91µA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@37.5V
连续漏极电流：19A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC030P03NS3GAUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€125W
阈值电压：3.1V@345µA
栅极电荷：186nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14000pF@15V
连续漏极电流：25.4A€100A
类型：P沟道
导通电阻：3mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC030P03NS3GAUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€125W
阈值电压：3.1V@345µA
栅极电荷：186nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14000pF@15V
连续漏极电流：25.4A€100A
类型：P沟道
导通电阻：3mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC0802NLSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€125W
阈值电压：2.3V@92µA
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5190pF@50V
连续漏极电流：22A€150A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：3554}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC016N03LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€125W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：131nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10000pF@15V
连续漏极电流：32A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：23213，"23+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC016N03LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€125W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：131nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10000pF@15V
连续漏极电流：32A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86181
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4125pF@50V
连续漏极电流：44A€124A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC047N08NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€125W
阈值电压：3.5V@90µA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@40V
连续漏极电流：18A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.7mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC018N04LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€125W
阈值电压：2V@85µA
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12000pF@20V
连续漏极电流：30A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC018N04LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€125W
阈值电压：2V@85µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12000pF@20V
连续漏极电流：30A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC030P03NS3GAUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€125W
阈值电压：3.1V@345µA
栅极电荷：186nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14000pF@15V
连续漏极电流：25.4A€100A
类型：P沟道
导通电阻：3mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC047N08NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€125W
阈值电压：3.5V@90µA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@40V
连续漏极电流：18A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.7mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：2500，"24+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86181
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4125pF@50V
连续漏极电流：44A€124A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC018N04LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€125W
阈值电压：2V@85µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12000pF@20V
连续漏极电流：30A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC018N04LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€125W
阈值电压：2V@85µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12000pF@20V
连续漏极电流：30A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC042NE7NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€125W
阈值电压：3.8V@91µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@37.5V
连续漏极电流：19A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86181
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4125pF@50V
连续漏极电流：44A€124A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：5000，"MI+"：6460}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC0802NLSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€125W
阈值电压：2.3V@92µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5190pF@50V
连续漏极电流：22A€150A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：5000，"MI+"：6460}
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC0802NLSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€125W
阈值电压：2.3V@92µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5190pF@50V
连续漏极电流：22A€150A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC030P03NS3GAUMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€125W
阈值电压：3.1V@345µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：186nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14000pF@15V
连续漏极电流：25.4A€100A
类型：P沟道
导通电阻：3mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC0802NLSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€125W
阈值电压：2.3V@92µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5190pF@50V
连续漏极电流：22A€150A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@50A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC042NE7NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€125W
阈值电压：3.8V@91µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@37.5V
连续漏极电流：19A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC018N04LSGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€125W
阈值电压：2V@85µA
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：12000pF@20V
连续漏极电流：30A€100A
类型：N沟道
导通电阻：1.8mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC042NE7NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€125W
阈值电压：3.8V@91µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@37.5V
连续漏极电流：19A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86181
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：59nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4125pF@50V
连续漏极电流：44A€124A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@44A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC047N08NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€125W
阈值电压：3.5V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@40V
连续漏极电流：18A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.7mΩ@50A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
