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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3420UQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：5.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：434.7pF@10V
连续漏极电流：5.47A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@6A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3420UQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：5.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：434.7pF@10V
连续漏极电流：5.47A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@6A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJC7407_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：416pF@10V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@1.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3420U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：434.7pF@10V
连续漏极电流：5.47A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@6A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3420U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：5.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：434.7pF@10V
连续漏极电流：5.47A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@6A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3420U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：434.7pF@10V
连续漏极电流：5.47A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@6A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3420U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：434.7pF@10V
连续漏极电流：5.47A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@6A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJC7407_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：5.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：416pF@10V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@1.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3420U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：5.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：434.7pF@10V
连续漏极电流：5.47A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@6A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJC7407_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：5.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：416pF@10V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@1.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJC7407_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：416pF@10V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@1.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3420U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：434.7pF@10V
连续漏极电流：5.47A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@6A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3420UQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：5.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：434.7pF@10V
连续漏极电流：5.47A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@6A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3420UQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：5.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：434.7pF@10V
连续漏极电流：5.47A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@6A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3420U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：5.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：434.7pF@10V
连续漏极电流：5.47A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@6A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3420U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：5.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：434.7pF@10V
连续漏极电流：5.47A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@6A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3420U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：5.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：434.7pF@10V
连续漏极电流：5.47A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@6A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3420U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：434.7pF@10V
连续漏极电流：5.47A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@6A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3420U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：5.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：434.7pF@10V
连续漏极电流：5.47A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@6A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3420U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：434.7pF@10V
连续漏极电流：5.47A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@6A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3420U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：434.7pF@10V
连续漏极电流：5.47A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@6A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3420U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：434.7pF@10V
连续漏极电流：5.47A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@6A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJC7407_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：5.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：416pF@10V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@1.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3420U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：5.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：434.7pF@10V
连续漏极电流：5.47A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@6A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJC7407_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：5.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：416pF@10V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@1.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJC7407_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：5.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：416pF@10V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@1.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMG3420U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：434.7pF@10V
连续漏极电流：5.47A
类型：N沟道
导通电阻：29mΩ@6A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJC7407_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：416pF@10V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@1.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJC7407_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：416pF@10V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@1.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJC7407_R1_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：416pF@10V
连续漏极电流：1.3A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@1.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
