品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6066SSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:502pF@30V
连续漏极电流:3.3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:66mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6070SSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:588pF@30V
连续漏极电流:3.3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:80mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6070SSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:588pF@30V
连续漏极电流:3.3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:80mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):DMN6066SSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:502pF@30V
连续漏极电流:3.3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:66mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):DMN6066SSD-13
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功率:1.8W
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输入电容:502pF@30V
连续漏极电流:3.3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:66mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
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输入电容:502pF@30V
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行业应用:工业,汽车
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类型:2N沟道(双)
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输入电容:502pF@30V
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输入电容:588pF@30V
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阈值电压:3V@250µA
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输入电容:502pF@30V
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漏源电压:60V
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输入电容:588pF@30V
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漏源电压:60V
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功率:1.2W
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输入电容:588pF@30V
连续漏极电流:3.3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:80mΩ@12A,10V
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