采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2120U-7
包装方式：卷带（TR）
功率：800mW
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：487pF@20V
栅极电荷：6.3nC@4.5V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：62mΩ@4.2A，4.5V
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：汽车,工业
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1046UFDB-13
功率：1.4W
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：3.8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：61mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：12V
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
输入电容：915pF@6V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM64P03XTA
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
输入电容：825pF@25V
阈值电压：1V@250µA
功率：1.1W
栅极电荷：46nC@10V
导通电阻：75mΩ@2.4A，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2367DS-T1-GE3
包装方式：卷带（TR）
输入电容：561pF@10V
导通电阻：66mΩ@2.5A，4.5V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
栅极电荷：23nC@8V
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
功率：960mW€1.7W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2120U-13
包装方式：卷带（TR）
功率：800mW
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：487pF@20V
栅极电荷：6.3nC@4.5V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：62mΩ@4.2A，4.5V
阈值电压：1V@250µA
漏源电压：20V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1046UFDB-7
连续漏极电流：3.8A
功率：1.4W
包装方式：卷带（TR）
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：61mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：12V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：1V@250µA
输入电容：915pF@6V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1046UFDB-7
连续漏极电流：3.8A
功率：1.4W
包装方式：卷带（TR）
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：61mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：12V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：1V@250µA
输入电容：915pF@6V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A08GTA
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
漏源电压：60V
输入电容：459pF@40V
连续漏极电流：3.8A
阈值电压：1V@250µA
导通电阻：80mΩ@4.8A，10V
ECCN：EAR99
功率：2W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1046UFDB-7
功率：1.4W
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：3.8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：61mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：12V
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
输入电容：915pF@6V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：500psc
规格型号(MPN)：ZXMN6A25DN8TA
输入电容：1063pF@30V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：2N沟道（双）
漏源电压：60V
连续漏极电流：3.8A
功率：1.8W
导通电阻：50mΩ@3.6A，10V
阈值电压：1V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP7A17KTC
功率：2.11W
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5.7A
导通电阻：160mΩ@2.1A，10V
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：70V
类型：P-Channel
阈值电压：1V@250µA
输入电容：635pF@40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME1024NZT
功率：600mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：2N沟道（双）
连续漏极电流：3.8A
阈值电压：1V@250µA
导通电阻：66mΩ@3.4A，4.5V
漏源电压：20V
输入电容：300pF@10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2120U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：6.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：487pF@20V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：62mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME1024NZT
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：66mΩ@3.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A08GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：459pF@40V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@4.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2120U-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：487pF@20V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：62mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP1046UFDB-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.4W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：915pF@6V
连续漏极电流：3.8A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：61mΩ@3.6A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2120U-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：6.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：487pF@20V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：62mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME1024NZT
工作温度：-55℃~150℃
功率：600mW
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：66mΩ@3.4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A08GQTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：459pF@40V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@4.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXM64P03XTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：825pF@25V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@2.4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2075UVT-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：8.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：642pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：75mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A25DN8TA
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：20.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1063pF@30V
连续漏极电流：5A
类型：N-Channel
导通电阻：50mΩ@3.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP7A17KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.11W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@40V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：160mΩ@2.1A，10V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A08GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：459pF@40V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@4.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A08GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：459pF@40V
连续漏极电流：3.8A
类型：N沟道
导通电阻：80mΩ@4.8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP7A17KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.11W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@40V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：160mΩ@2.1A，10V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2367DS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW€1.7W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：561pF@10V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：66mΩ@2.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP7A17KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.11W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@40V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：160mΩ@2.1A，10V
漏源电压：70V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2120U-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.3nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：487pF@20V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：62mΩ@4.2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
