首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    品牌
    工作温度
    包装方式
    阈值电压
    行业应用
    漏源电压
    品牌: DIODES
    工作温度: -55℃~150℃
    包装方式: 卷带(TR)
    阈值电压: 1V@250µA
    当前匹配商品:4300+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2056U-13 起订25个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2056U-13 起订25个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2056U-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:940mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:4.3nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:339pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:38mΩ@3.6A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0LFB-7 起订47个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0LFB-7 起订47个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN62D0LFB-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:470mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.45nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:32pF@25V

    连续漏极电流:100mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@100mA,4V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2011UTS-13 起订13个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2011UTS-13 起订13个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2011UTS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2248pF@10V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@7A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP3A16N8TA 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP3A16N8TA 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):500psc

    规格型号(MPN):ZXMP3A16N8TA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1022pF@15V

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:40mΩ@4.2A,10V

    类型:P沟道

    阈值电压:1V@250µA

    功率:1.9W

    连续漏极电流:5.6A

    栅极电荷:29.6nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2045UFY4-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2045UFY4-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2045UFY4-7

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:670mW

    导通电阻:45mΩ@4A,4.5V

    输入电容:634pF@10V

    类型:P沟道

    连续漏极电流:4.7A

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.8nC@4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1008UFDF-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1008UFDF-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN1008UFDF-13

    导通电阻:8mΩ@5A,4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:23.4nC@8V

    类型:N沟道

    输入电容:995pF@6V

    漏源电压:12V

    连续漏极电流:12.2A

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    功率:700mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A17E6TA 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A17E6TA 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP6A17E6TA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:60V

    连续漏极电流:3A

    导通电阻:125mΩ@2.3A,10V

    类型:P-Channel

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:17.7nC@10V

    功率:1.1W

    输入电容:637pF@30V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A13GTA 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A13GTA 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP6A13GTA

    输入电容:219pF@30V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:60V

    栅极电荷:5.9nC@10V

    导通电阻:390mΩ@900mA,10V

    连续漏极电流:2.3A

    类型:P-Channel

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    功率:2W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP7A17GTA 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP7A17GTA 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP7A17GTA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:160mΩ@2.1A,10V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:2.6A

    漏源电压:70V

    类型:P沟道

    阈值电压:1V@250µA

    输入电容:635pF@40V

    ECCN:EAR99

    功率:2W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0LFB-7 起订44个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0LFB-7 起订44个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN62D0LFB-7

    功率:470mW

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:2Ω@100mA,4V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N-Channel

    连续漏极电流:0.1A

    漏源电压:60V

    栅极电荷:0.45nC@4.5V

    阈值电压:1V@250µA

    输入电容:32pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A08E6QTA 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A08E6QTA 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN6A08E6QTA

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:2.5A

    导通电阻:150mΩ

    ECCN:EAR99

    漏源电压:60V

    功率:8.8W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2038LVT-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC2038LVT-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC2038LVT-7

    包装方式:卷带(TR)

    功率:800mW

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:530pF@10V

    类型:N和P沟道

    导通电阻:35mΩ@4A,4.5V

    阈值电压:1V@250µA

    连续漏极电流:3.7A€2.6A

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61P03FTA 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXM61P03FTA 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXM61P03FTA

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:1.1A

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:140pF@25V

    类型:P沟道

    栅极电荷:4.8nC@10V

    阈值电压:1V@250µA

    功率:625mW

    ECCN:EAR99

    导通电阻:350mΩ@600mA,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A17KTC 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A17KTC 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP6A17KTC

    功率:2.11W

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    漏源电压:60V

    类型:P沟道

    导通电阻:125mΩ@2.3A,10V

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:17.7nC@10V

    输入电容:637pF@30V

    连续漏极电流:4.4A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2400UFDQ-7 起订200个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2400UFDQ-7 起订200个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2400UFDQ-7

    导通电阻:600mΩ@200mA,4.5V

    功率:400mW

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    阈值电压:1V@250µA

    连续漏极电流:900mA

    漏源电压:20V

    栅极电荷:0.5nC@4.5V

    输入电容:37pF@16V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2120U-7 起订15个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2120U-7 起订15个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2120U-7

    包装方式:卷带(TR)

    功率:800mW

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:487pF@20V

    栅极电荷:6.3nC@4.5V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:62mΩ@4.2A,4.5V

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2900UVQ-7 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2900UVQ-7 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2900UVQ-7

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:49pF@16V

    连续漏极电流:850mA

    导通电阻:750mΩ@430mA,4.5V

    功率:500mW

    类型:2个P沟道(双)

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN61D9U-7 起订45个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN61D9U-7 起订45个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN61D9U-7

    输入电容:28.5pF@30V

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:0.4nC@4.5V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    导通电阻:2Ω@50mA,5V

    功率:370mW

    阈值电压:1V@250µA

    连续漏极电流:380mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC31D5UDJ-7B 起订5000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC31D5UDJ-7B 起订5000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC31D5UDJ-7B

    功率:350mW

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    连续漏极电流:220mA€200mA

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:22.6pF@15V

    类型:N和P沟道

    导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2302UK-13 起订5000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2302UK-13 起订5000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG2302UK-13

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:90mΩ@3.6A,4.5V

    栅极电荷:2.8nC@10V

    类型:N-Channel

    功率:660mW

    输入电容:130pF@10V

    连续漏极电流:2.8A

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A25GTA 起订30个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A25GTA 起订30个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:汽车,工业

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN6A25GTA

    输入电容:1063pF@30V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:4.8A

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    栅极电荷:20.4nC@10V

    导通电阻:50mΩ@3.6A,10V

    阈值电压:1V@250µA

    功率:2W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2021UFDF-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2021UFDF-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2021UFDF-7

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:16mΩ@7A,4.5V

    输入电容:2760pF@15V

    类型:P沟道

    阈值电压:1V@250µA

    连续漏极电流:9A

    功率:730mW

    漏源电压:20V

    栅极电荷:59nC@8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1008UFDF-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN1008UFDF-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN1008UFDF-13

    导通电阻:8mΩ@5A,4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    栅极电荷:23.4nC@8V

    类型:N沟道

    输入电容:995pF@6V

    漏源电压:12V

    连续漏极电流:12.2A

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    功率:700mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2991UDA-7B 起订5000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2991UDA-7B 起订5000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2991UDA-7B

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:21.5pF@16V

    功率:310mW

    连续漏极电流:450mA

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:1V@250µA

    导通电阻:990mΩ@100mA,4.5V

    漏源电压:20V

    类型:2N沟道(双)

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2990UDJ-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2990UDJ-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2990UDJ-7

    功率:350mW

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N-Channel

    输入电容:27.6pF@16V

    连续漏极电流:0.45A

    阈值电压:1V@250µA

    导通电阻:990mΩ@100mA,4.5V

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.5nC@4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2104V-7 起订3000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2104V-7 起订3000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2104V-7

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:320pF@16V

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:150mΩ@950mA,4.5V

    连续漏极电流:2.1A

    类型:P沟道

    阈值电压:1V@250µA

    功率:850mW

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2301U-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG2301U-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG2301U-7

    包装方式:卷带(TR)

    功率:800mW

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:130mΩ@2.8A,4.5V

    类型:P沟道

    阈值电压:1V@250µA

    漏源电压:20V

    连续漏极电流:2.5A

    ECCN:EAR99

    输入电容:608pF@6V

    栅极电荷:6.5nC@4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC31D5UDJ-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC31D5UDJ-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC31D5UDJ-7

    功率:350mW

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    连续漏极电流:220mA€200mA

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:22.6pF@15V

    类型:N和P沟道

    导通电阻:1.5Ω@100mA,4.5V

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0UDW-13 起订11个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0UDW-13 起订11个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN62D0UDW-13

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:320mW

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:60V

    阈值电压:1V@250µA

    输入电容:32pF@30V

    ECCN:EAR99

    导通电阻:2Ω@100mA,4.5V

    连续漏极电流:350mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2035UFDF-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP2035UFDF-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP2035UFDF-7

    连续漏极电流:8.1A

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:20.5nC@4.5V

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:1808pF@15V

    类型:P沟道

    阈值电压:1V@250µA

    功率:2.03W

    导通电阻:29mΩ@6.4A,4.5V

    漏源电压:20V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧