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    包装方式: 卷带(TR)
    阈值电压: 1.1V@250µA
    漏源电压: 30V
    当前匹配商品:400+
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    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008CBKV,115 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008CBKV,115 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX3008CBKV,115

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    导通电阻:1.4Ω@350mA,4.5V

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:50pF@15V

    阈值电压:1.1V@250µA

    类型:N和P沟道

    功率:500mW

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:400mA€220mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17484F4T 起订750个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17484F4T 起订750个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):250psc

    规格型号(MPN):CSD17484F4T

    输入电容:195pF@15V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:0.2nC@8V

    连续漏极电流:3A

    功率:500mW

    导通电阻:121mΩ@500mA,8V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP31D0UFB4-7B 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP31D0UFB4-7B 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP31D0UFB4-7B

    连续漏极电流:540mA

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:76pF@15V

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:0.9nC@4.5V

    类型:P沟道

    功率:460mW

    导通电阻:1Ω@400mA,4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008PBKS,115 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008PBKS,115 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX3008PBKS,115

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:46pF@15V

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:1.1V@250µA

    功率:445mW

    连续漏极电流:200mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:4.1Ω@200mA,4.5V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008NBKV,115 起订5842个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008NBKV,115 起订5842个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"22+":64000,"23+":24000}

    规格型号(MPN):NX3008NBKV,115

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    导通电阻:1.4Ω@350mA,4.5V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:2N沟道(双)

    输入电容:50pF@15V

    阈值电压:1.1V@250µA

    连续漏极电流:400mA

    功率:500mW

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP31D0U-7 起订750个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP31D0U-7 起订750个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP31D0U-7

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:530mA

    输入电容:76pF@15V

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:0.9nC@4.5V

    类型:P沟道

    功率:450mW

    导通电阻:1Ω@400mA,4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008PBKW,115 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008PBKW,115 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX3008PBKW,115

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:46pF@15V

    漏源电压:30V

    功率:260mW€830mW

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:0.72nC@4.5V

    连续漏极电流:200mA

    类型:P沟道

    导通电阻:4.1Ω@200mA,4.5V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008CBKS,115 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008CBKS,115 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX3008CBKS,115

    类型:N和P沟道

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    导通电阻:1.4Ω@350mA,4.5V

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:50pF@15V

    阈值电压:1.1V@250µA

    连续漏极电流:350mA€200mA

    功率:445mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008PBKS,115 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008PBKS,115 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX3008PBKS,115

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:46pF@15V

    连续漏极电流:200mA

    类型:2个P沟道(双)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    导通电阻:4.1Ω@200mA,4.5V

    阈值电压:1.1V@250µA

    功率:445mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008PBKS,115 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008PBKS,115 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX3008PBKS,115

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:46pF@15V

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:1.1V@250µA

    功率:445mW

    连续漏极电流:200mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:4.1Ω@200mA,4.5V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008NBKSH 起订3000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008NBKSH 起订3000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX3008NBKSH

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    导通电阻:1.4Ω@350mA,4.5V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:2N沟道(双)

    输入电容:50pF@15V

    阈值电压:1.1V@250µA

    功率:445mW

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:350mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP31D0U-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP31D0U-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP31D0U-7

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:530mA

    输入电容:76pF@15V

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:0.9nC@4.5V

    类型:P沟道

    功率:450mW

    导通电阻:1Ω@400mA,4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008PBK,215 起订38个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008PBK,215 起订38个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX3008PBK,215

    功率:350mW€1.14W

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:46pF@15V

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:0.72nC@4.5V

    类型:P沟道

    连续漏极电流:230mA

    导通电阻:4.1Ω@200mA,4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    TI Mosfet场效应管 CSD17484F4T 起订500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17484F4T 起订500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):250psc

    规格型号(MPN):CSD17484F4T

    输入电容:195pF@15V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:0.2nC@8V

    连续漏极电流:3A

    功率:500mW

    导通电阻:121mΩ@500mA,8V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008CBKV,115 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008CBKV,115 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX3008CBKV,115

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    导通电阻:1.4Ω@350mA,4.5V

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:50pF@15V

    阈值电压:1.1V@250µA

    类型:N和P沟道

    功率:500mW

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:400mA€220mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17484F4 起订1000个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17484F4 起订1000个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD17484F4

    输入电容:195pF@15V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    阈值电压:1.1V@250µA

    连续漏极电流:3A

    栅极电荷:1.2nC@4.5V

    功率:500mW

    导通电阻:121mΩ@500mA,8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008NBK,215 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008NBK,215 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX3008NBK,215

    功率:350mW€1.14W

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    导通电阻:1.4Ω@350mA,4.5V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    输入电容:50pF@15V

    阈值电压:1.1V@250µA

    连续漏极电流:400mA

    栅极电荷:0.68nC@4.5V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008PBKW,115 起订16个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008PBKW,115 起订16个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX3008PBKW,115

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:46pF@15V

    漏源电压:30V

    功率:260mW€830mW

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:0.72nC@4.5V

    连续漏极电流:200mA

    类型:P沟道

    导通电阻:4.1Ω@200mA,4.5V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008PBK,215 起订19个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008PBK,215 起订19个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX3008PBK,215

    功率:350mW€1.14W

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:46pF@15V

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:0.72nC@4.5V

    类型:P沟道

    连续漏极电流:230mA

    导通电阻:4.1Ω@200mA,4.5V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17484F4T 起订4个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17484F4T 起订4个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):250psc

    规格型号(MPN):CSD17484F4T

    输入电容:195pF@15V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:0.2nC@8V

    连续漏极电流:3A

    功率:500mW

    导通电阻:121mΩ@500mA,8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008NBKW,115 起订15000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008NBKW,115 起订15000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX3008NBKW,115

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    导通电阻:1.4Ω@350mA,4.5V

    功率:260mW€830mW

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    输入电容:50pF@15V

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:0.68nC@4.5V

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:350mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008CBKS,115 起订1500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008CBKS,115 起订1500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX3008CBKS,115

    类型:N和P沟道

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    导通电阻:1.4Ω@350mA,4.5V

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:50pF@15V

    阈值电压:1.1V@250µA

    连续漏极电流:350mA€200mA

    功率:445mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17381F4T 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17381F4T 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):250psc

    规格型号(MPN):CSD17381F4T

    栅极电荷:1.35nC@4.5V

    输入电容:195pF@15V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    连续漏极电流:3.1A

    阈值电压:1.1V@250µA

    导通电阻:109mΩ@500mA,8V

    功率:500mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008NBKS,115 起订41个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008NBKS,115 起订41个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX3008NBKS,115

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    导通电阻:1.4Ω@350mA,4.5V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:2N沟道(双)

    输入电容:50pF@15V

    连续漏极电流:350mA

    阈值电压:1.1V@250µA

    功率:445mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008NBKS,115 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008NBKS,115 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX3008NBKS,115

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    导通电阻:1.4Ω@350mA,4.5V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:2N沟道(双)

    输入电容:50pF@15V

    阈值电压:1.1V@250µA

    功率:445mW

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:350mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008NBKS,115 起订1500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008NBKS,115 起订1500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX3008NBKS,115

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    导通电阻:1.4Ω@350mA,4.5V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:2N沟道(双)

    输入电容:50pF@15V

    连续漏极电流:350mA

    阈值电压:1.1V@250µA

    功率:445mW

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008PBKS,115 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008PBKS,115 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX3008PBKS,115

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:46pF@15V

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    阈值电压:1.1V@250µA

    功率:445mW

    连续漏极电流:200mA

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:4.1Ω@200mA,4.5V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008CBKV,115 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008CBKV,115 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX3008CBKV,115

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    导通电阻:1.4Ω@350mA,4.5V

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:50pF@15V

    阈值电压:1.1V@250µA

    类型:N和P沟道

    功率:500mW

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:400mA€220mA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD17483F4T 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD17483F4T 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):250psc

    规格型号(MPN):CSD17483F4T

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:190pF@15V

    漏源电压:30V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    阈值电压:1.1V@250µA

    连续漏极电流:1.5A

    功率:500mW

    栅极电荷:1.3nC@4.5V

    ECCN:EAR99

    导通电阻:240mΩ@500mA,8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008NBK,215 起订98个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 NX3008NBK,215 起订98个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NX3008NBK,215

    功率:350mW€1.14W

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    导通电阻:1.4Ω@350mA,4.5V

    工作温度:-55℃~150℃

    类型:N沟道

    输入电容:50pF@15V

    阈值电压:1.1V@250µA

    连续漏极电流:400mA

    栅极电荷:0.68nC@4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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